[发明专利]SiC陶瓷基热弯模具及其制备方法

权利要求书

1.一种SiC陶瓷基热弯模具的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将固相原料、分散剂、固化交联剂和酒精经机械搅拌，得到混合浆料，所述固相原料由炭黑、石墨和α-SiC陶瓷粉组成；

（2）将步骤（1）所得的混合浆料干燥、粉碎，得到混合粉末；

（3）将步骤（2）所得的混合粉末经模压成型，再等静压成型，最后固化交联，得到成型素坯；

（4）对步骤（3）所得的成型素坯进行气相渗硅烧结，得到SiC基复相陶瓷坯体；

（5）对SiC基复相陶瓷坯体进行机加工，得到SiC陶瓷基热弯模具；

所述分散剂为聚乙烯吡咯烷酮和Dolapix CE64，所述聚乙烯吡咯烷酮的质量为炭黑的10%～65%，所述Dolapix CE64的质量为α-SiC陶瓷粉的0.2%～1%；

所述α-SiC陶瓷粉由F1200和F240两种不同粒径的α-SiC陶瓷粉组成，F1200粒径的α-SiC陶瓷粉和F240粒径的α-SiC陶瓷粉的质量比为1∶1～1.8；

所述步骤（1）中，所述混合 浆料的固含量为50%～80%；所述固相原料中，所述炭黑占固相原料的质量百分含量为10%～15%，所述石墨占固相原料的质量百分含量为2%～10%，所述α-SiC陶瓷粉占固相原料的质量百分含量为75%～88%。

2.如权利要求1所述的SiC陶瓷基热弯模具的制备方法，其特征在于，所述固化交联剂为热固型酚醛树脂，所述固化交联剂占固相原料、分散剂和固化交联剂总质量的百分含量为1～10%。

3.如权利要求1所述的SiC陶瓷基热弯模具的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，所述模压成型的压力为8～15MPa，模压成型时间为60～120s；所述等静压成型的压力为50~150Mpa，等静压成型时间为60～300s。

4.如权利要求1所述的SiC陶瓷基热弯模具的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中，所述气相渗硅烧结的温度为1500℃～1700℃，时间为1h～3h。

5.一种如权利要求1～4任一项所述的制备方法所制得的SiC陶瓷基热弯模具。

6.根据权利要求5所述的SiC陶瓷基热弯模具，其特征在于，所述SiC陶瓷基热弯模具为玻璃热弯模具，所述玻璃热弯模具包括凹模和凸模，凹模中开设有仿形槽，凸模上设有与仿形槽配合的仿形块，所述仿形块的高度小于与所述仿形槽的深度，所述仿形槽与所述仿形块配合形成用于玻璃热弯成型的型腔。

7.如权利要求6所述的SiC陶瓷基热弯模具，其特征在于，

所述凹模包括底座，所述底座上设置有凸台，所述仿形槽开设于所述凸台的中部，所述凸台的外壁和所述仿形槽的槽壁之间形成环形框；

所述凸模上设置有凹槽，所述仿形块设于所述凹槽的底壁上，所述仿形块的高度小于与所述仿形槽的深度，所述仿形槽与所述仿形块配合形成用于玻璃热弯成型的型腔；所述凹槽的内壁和所述仿形块的外壁之间形成用于与所述环形框配合的环形槽。