[发明专利]使用栅极绝缘破裂的一次性可编程存储器

权利要求书

1.一种用于使用场效应晶体管(FET)工艺制造的集成器件的反熔丝器件，包括：

第一电极，在与使用所述FET工艺制成的晶体管的栅极相同的层中制成；

栅极绝缘层，覆盖所述第一电极的第一部分和使用所述FET工艺制成的所述晶体管的所述栅极；以及

第二电极，与所述第一电极的所述第一部分至少部分地重叠，所述栅极绝缘层的在所述第二电极与所述第一电极之间的一部分响应于跨所述栅极绝缘层施加超过阈值的电压而被短路以在所述第一电极与所述第二电极之间创建电流路径。

2.根据权利要求1所述的反熔丝器件，其中所述第二电极是局部互连或过孔，所述局部互连或所述过孔形成在与将第一金属层电连接到扩散层的层相同的层中。

3.根据权利要求1所述的反熔丝器件，其中所述第一电极在第一方向上延伸，并且所述第二电极是在与所述第一方向形成角度的第二方向上延伸的局部互连。

4.根据权利要求3所述的反熔丝器件，其中所述角度为90度。

5.根据权利要求1所述的反熔丝器件，进一步包括：

包括所述栅极的所述晶体管，所述栅极形成在与所述第一电极相同的层中；以及

在所述晶体管的所述栅极上的所述栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极的至少一部分。

6.根据权利要求5所述的反熔丝器件，其中所述晶体管是FinFET。

7.根据权利要求5所述的反熔丝器件，其中所述第一电极电连接到所述晶体管的源极或漏极。

8.根据权利要求7所述的反熔丝器件，其中所述第一电极和所述第二电极响应于向所述第二电极施加所述电压并且将所述第一电极接地而被短路。

9.根据权利要求1所述的反熔丝器件，其中所述第二电极为正方形或点形。

10.根据权利要求1所述的反熔丝器件，其中所述第二电极包括被配置为与所述第一电极垂直重叠的第一部分和第二部分。

11.根据权利要求10所述的反熔丝器件，其中所述第一部分从所述第二部分偏移，以即使在形成所述第二电极时发生未对准，也与所述第一电极至少部分地重叠。

12.一种存储电路的设计的非暂态计算机可读存储介质，所述电路包括用于使用场效应晶体管(FET)工艺制造的集成器件的反熔丝器件，所述反熔丝器件包括：

第一电极，在与使用所述FET工艺制成的晶体管的栅极相同的层中制成；

栅极绝缘层，覆盖所述第一电极的第一部分和使用所述FET工艺制成的所述晶体管的所述栅极；以及

第二电极，与所述第一电极的所述第一部分至少部分地重叠，所述栅极绝缘层的在所述第二电极与所述第一电极之间的一部分响应于跨所述栅极绝缘层施加超过阈值的电压而被短路以在所述第一电极与所述第二电极之间创建电流路径。

13.根据权利要求12所述的非暂态计算机可读存储介质，其中所述第二电极是局部互连或过孔，所述局部互连或所述过孔形成在与将第一金属层电连接到扩散层的层相同的层中。

14.根据权利要求12所述的非暂态计算机可读存储介质，其中所述第一电极在第一方向上延伸，并且所述第二电极是在与所述第一方向形成角度的第二方向上延伸的局部互连。

15.根据权利要求14所述的非暂态计算机可读存储介质，其中所述角度为90度。