[发明专利]OLED驱动电路及AMOLED显示面板有效

专利信息
申请号: 201810841303.4 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN108877672B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 李雪;侯学顺 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233;G09G3/3291
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: oled 驱动 电路 amoled 显示 面板
【说明书】:

发明实施例公开了一种OLED驱动电路,包括:开关薄膜晶体管;驱动薄膜晶体管;存储电容;第三薄膜晶体管,其栅极接收复位信号,其第一端接收复位电压,其第二端电连接第一节点;第六薄膜晶体管,其栅极接收使能信号,其第一端电连接第二节点;OLED;消除模块,其分别与存储电容的第一电极、驱动薄膜晶体管的第一端电连接,所述消除模块分别接收数据电压和电源电压,所述消除模块、第三薄膜晶体管、第六薄膜晶体管共同用于消除由于所述驱动薄膜晶体管的阈值电压的漂移而导致的所述OLED的驱动电流的变化。本发明实施例还公开了一种AMOLED显示面板。采用本发明,具有改善由于驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移而引起OLED的驱动电流变动的优点。

技术领域

本发明涉及显示驱动技术领域,特别是涉及一种OLED驱动电路及AMOLED显示面板。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板因为具备轻薄、节能、宽视角、色域广、对比度高等特性而备受人们的青睐,有机发光二极管显示面板分为被动式有机发光二极管显示面板(PMOLED)和主动式有机发光二极管显示面板(AMOLED)。其中AMOLED常用的OLED驱动电路如图1所示,所述OLED驱动电路用于驱动OLED,所述OLED驱动电路包括一个开关薄膜晶体管(Switch TFT)T2、一个驱动薄膜晶体管(Driver TFT)T1以及一个存储电容Cst,这种结构也被称为2T1C结构。所述开关薄膜晶体管T2的栅极接收第n级扫描信号Scan(n),所述开关薄膜晶体管T2的漏极接收数据电压Vdata,所述开关薄膜晶体管T2的源极电连接至所述驱动薄膜晶体管T1的栅极。所述开关薄膜晶体管T2的源极和所述开关薄膜晶体管T2漏极在所述第n级扫描信号Scan(n)的控制下导通或者截止。当所述开关薄膜晶体管T2的源极和所述开关薄膜晶体管T2漏极在所述第n级扫描信号Scan(n)的控制下导通时,所述数据电压Vdata被传输至所述驱动薄膜晶体管T1的栅极。所述驱动薄膜晶体管T1的源极电连接至一电源电压VDD,所述电源电压VDD为高电位电压,所述驱动薄膜晶体管T1的漏极电连接至OLED的正极。所述OLED的负极电连接至一低电位电压VSS。所述存储电容Cst的两端分别电连接至所述驱动薄膜晶体管T1的栅极及所述驱动薄膜晶体管T1的漏极。流经所述OLED的电流IOLED为:

IOLED=k(Vgs-Vth)2

其中,IOLED为流经所述OLED的电流,也称为所述OLED的驱动电流;k为所述驱动薄膜晶体管T1的电流放大系数,由所述驱动薄膜晶体管T1自身的特性决定;Vgs为所述驱动薄膜晶体管T1的栅极与源极之间的电压;Vth为所述驱动薄膜晶体管T1的阈值电压。由此可见,所述OLED的驱动电流与所述驱动薄膜晶体管T1的阈值电压Vth有关。由于所述驱动薄膜晶体管T1的阈值电压Vth容易漂移,从而导致所述OLED的驱动电流IOLED变动,所述OLED的驱动电流IOLED变动会导致所述OLED的发光亮度发生变化,进而影响所述AMOLED显示面板的画质。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种OLED驱动电路及AMOLED显示面板。可改善由于驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移而引起OLED的驱动电流变动的问题。

为了解决上述技术问题,本发明第一方面实施例提供了一种OLED驱动电路,包括:

开关薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管的栅极接收扫描信号,所述开关薄膜晶体管的第一端电连接到第一节点,所述开关薄膜晶体管的第二端电连接到第二节点;

驱动薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管的第一端接收电源电压,所述驱动薄膜晶体管的栅极电连接所述第一节点,所述驱动薄膜晶体管的第二端电连接所述第二节点;

存储电容,所述存储电容的第一电极接收数据电压,所述存储电容的第二电极连接到第一节点;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810841303.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top