[发明专利]OLED模组、显示面板及显示器在审
申请号: | 201810841415.X | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN108922910A | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 胡珊珊;韩天鹏;熊圣锴;王博;王玉年;沈思宽 | 申请(专利权)人: | 深圳创维-RGB电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模组 显示面板 透明 显示器 亮度显示 视觉体验 穿透率 自发光 显示屏 光源 搭配 发射 补充 | ||
本发明公开了一种OLED模组、显示面板及显示器。本发明所述OLED模组包括LED背光源和设置于所述LED背光源上方的透明OLED显示屏,所述LED背光源用于补充光源;所述透明OLED显示屏,用于自发光,以及接收并发射从所述LED背光源发出的光线。通过透明OLED显示屏+LED背光源这种新型搭配,提高显示屏穿透率,实现峰值10000nits的超高亮度显示,给用户带来更好的视觉体验。
技术领域
本发明涉及液晶显示领域,尤其涉及一种OLED模组、显示面板及显示器。
背景技术
HDR(High-Dynamic Range,高动态范围图像)技术以其高动态对比度优点,使得显示图像中黑色更加深邃,白色更加夺目,能展现出清晰的明暗细节,可以大幅提升画质水平。HDR技术在液晶显示领域,目前采用的方法为背光源独立分区控制,当检测到明画面时,该区域背光部分瞬间增大驱动电流,达到峰值亮度。例如,正常画面工作电流为100mA,当检测到白画面时,瞬间可增加180mA,此时背光亮度可以达到约20000nits,但由于液晶玻璃穿透率仅为6%-7.5%,故目前载有HDR技术的显示设备的最大峰值亮度也只为1200nits-1500nits。
传统的液晶玻璃,光线从背光发射,会依次穿过下偏光片、下TFT导电玻璃、液晶层、彩色滤光片、上玻璃、上偏光片。其中,彩色滤光片、液晶像素点开口和偏光片是损失亮度的主要原因。因此,即使背光瞬间增大驱动电流亮度达20000nits,光线经过液晶玻璃后,出射能量很少,亮度仅为背光的6%左右。故市场上载有HDR技术的显示设备的峰值亮度一般仅为1000nits左右。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)模组、显示面板及显示器,旨在解决现有技术中载有HDR技术的显示设备因液晶玻璃穿透率低而导致峰值亮度低的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种OLED模组,所述模组包括LED(Light-EmittingDiode,发光二极管)背光源和设置于所述LED背光源上方的透明OLED显示屏;所述LED背光源,用于补充光源;所述透明OLED显示屏,用于自发光,以及接收并发射从所述LED背光源发出的光线。
优选地,所述透明OLED显示屏包括依次设置于所述LED背光源上方的ITO导电玻璃阴极、结构层及ITO导电玻璃阳极,所述ITO导电玻璃阴极用于接收所述LED背光源发出的光线,并在有电流通过时,向所述结构层注入电子,所述ITO导电玻璃阳极用于发射来自所述LED背光源和所述结构层的光线,并在有电流通过时,向所述结构层注入空穴,所述结构层用于结合所述电子和所述空穴后发光。
优选地,所述ITO导电玻璃阴极和所述ITO导电玻璃阳极采用的是ITO/Ag/ITO多层膜材料。
优选地,所述结构层包括依次设置于所述ITO导电玻璃阴极上方的电子传输层、发光层及空穴传输层。
优选地,所述发光层采用RGB(Red Green Blue,红绿蓝)三色有机发光材料。
优选地,所述LED背光源为直下式LED背光源。
优选地,所述LED背光源划分成至少一个区域。
优选地,所述LED背光源根据所述透明OLED显示屏上的画面信号控制所述区域的光线的输出。
本发明还提出一种OLED显示面板,所述OLED显示面板包括如上所述的OLED模组。
本发明还提出一种OLED显示器,所述OLED显示器包括如上所述的OLED模组。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的