[发明专利]制造设施及制造设施中的错误测量方法有效

专利信息
申请号: 201810842108.3 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN110767570B 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 范哲纶;苏英筑;朱介山;詹宜彬;刘正伟 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 冯志云;付文川
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 制造 设施 中的 错误 测量方法
【权利要求书】:

1.一种制造设施中的错误测量方法,包括:

将一晶片移入至一加工槽,并在一既定时间后将该晶片自该加工槽移除;

发射一声波能量至该加工槽,并根据自该加工槽所回送的该声波能量产生一测量声波数据,比较该测量声波数据与一期望声波数据,其中该测量声波数据包括该加工槽的三维地图的一测量数据,且该期望声波数据包括关于该加工槽的三维地图的一期望数据;

通过一信号处理器将该测量声波数据转换为一晶片位置的一测量数据以及一晶片角度的测量数据;

比较该晶片位置的该测量数据与该晶片位置的一期望数据,并且比较该晶片角度的该测量数据与该晶片角度的一期望数据,当分别的该测量数据与该期望数据不一致时触发一警讯;

当该警讯触发时,执行一定位程序,在该定位程序中,该晶片位置以及该晶片角度依据该测量声波数据进行调整;以及

其中该声波能量随该既定时间的增加而增强。

2.如权利要求1所述的制造设施中的错误测量方法,其中发射该声波能量至该加工槽,并根据自该加工槽所回送的该声波能量产生该测量声波数据的操作是在该晶片自该加工槽移除后执行。

3.如权利要求2所述的制造设施中的错误测量方法,还包括当该警讯触发时,执行一维护程序,在该维护程序中,移除遗留在该加工槽中该晶片的一破片。

4.如权利要求1所述的制造设施中的错误测量方法,其中发射该声波能量至该加工槽,并根据自该加工槽所回送的该声波能量产生该测量声波数据的操作是在该晶片移入该加工槽的过程中执行。

5.如权利要求1至4中任一项所述的制造设施中的错误测量方法,其中该晶片移入该加工槽及将该晶片自该加工槽移除是通过一传送组件执行,该传送组件将该晶片放置在位于该加工槽内部的一容置架上。

6.一种制造设施,包括:

一加工槽,配置用于装载一化学溶液;

一传送组件,配置用于将一芯片移入该加工槽及将该芯片自该加工槽移除;

一第一测量工具,设置于该加工槽的一侧壁外部之上,用于发射一声波能量至该加工槽,并根据自该加工槽所回送的该声波能量产生一测量声波数据;

一信号处理器,将该测量声波数据转换为一芯片位置的一测量数据以及一芯片角度的一测量数据;

一错误测量及分类系统,配置用于比较该芯片位置的该测量数据以及该芯片角度的该测量数据与该芯片位置的一期望数据以及该芯片角度的一期望数据,并在当该芯片位置的该测量数据以及该芯片角度的该测量数据中的任一个与其各自的期望数据不一致时触发一警讯;以及

一控制系统,执行一定位程序,在该定位程序中,该芯片位置以及该芯片角度依据该测量声波数据进行调整。

7.如权利要求6所述的制造设施,其中该第一测量工具所发出的该声波能量是穿透该加工槽的该侧壁后传送至该化学溶液。

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