[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制作方法、滤波器

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，包括：

第一衬底和形成于该第一衬底上的压电堆叠结构，该压电堆叠结构具有一第一接触孔和一第二接触孔；以及

第二衬底，其具有一第一凸部和一第二凸部；

其中，所述第二衬底的第一凸部和第二凸部分别与所述压电堆叠结构的第一接触孔和第二接触孔键合，且在所述第二衬底和压电堆叠结构之间形成第一空气腔；在所述第一衬底上形成有第二空气腔，该第二空气腔与第一空气腔位置相对。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述第一凸部与所述第一接触孔对应，所述第二凸部与所述第二接触孔对应，所述第一凸部和第二凸部的高度分别大于所述第一接触孔和第二接触孔的深度。

3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其中，

在所述第二空气腔两侧分别形成有第三接触孔、第四接触孔，该第三接触孔与所述第一接触孔位置相对，第四接触孔与所述第二接触孔位置相对；

在所述第三接触孔处形成有第一焊盘，在所述第四接触孔处形成有第二焊盘。

4.根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述压电堆叠结构包括：第一电极、形成于该第一电极上的压电层、以及形成于该压电层上的第二电极；

所述第一凸部与所述第一接触孔键合，经所述第一接触孔与所述第二电极的第一表面接触，所述第二凸部与所述第二接触孔键合，经所述第二接触孔与所述第一电极的第一表面接触；

所述第一焊盘经所述第三接触孔与所述第二电极的第二表面接触，所述第二焊盘经所述第四接触孔与所述第一电极的第二表面接触；

所述第一电极的所述第一表面和所述第一电极的第二表面相对，所述第二电极的所述第一表面和所述第二电极的第二表面相对；

所述第二空气腔位于所述第一衬底上、与所述压电堆叠结构中第一电极和第二电极重叠区域相对，并且所述第二空气腔面积大于或等于所述重叠区域的面积。

5.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器，其中，

所述第一衬底、第二衬底的材质为硅、SOI、玻璃、蓝宝石、碳化硅、GaAs、GaN、LiNbO₃或LiTaO₃；

所述薄膜体声波谐振器还包括在第一衬底上的隔离层，该隔离层的材质为SiO₂、Si₃N₄、氮氧化硅或AlN中的一种或多种组合；

所述第一电极、第二电极的材质为Mo、W、Al、Cu、Ir、Ru、Si中的一种或多种组合；

所述压电层的材质为石英、AlN、ZnO、PZT、LiNbO₃、LiTaO₃及其组合，或者为掺杂有稀土元素的石英、AlN、ZnO、PZT、LiNbO₃、LiTaO₃及其组合；

所述薄膜体声波谐振器还包括在第二电极上的钝化层，该钝化层的材质为SiO₂、Si₃N₄、氮氧化硅、AlN或Al₂O₃。

6.一种薄膜体声波谐振器的制作方法，包括：

在第一衬底上形成具有一第一接触孔和一第二接触孔的压电堆叠结构；

在第二衬底上形成一第一凸部和一第二凸部；以及

将所述第二衬底的第一凸部和第二凸部分别与所述压电堆叠结构的第一接触孔和第二接触孔对准并键合，且在所述第二衬底和压电堆叠结构之间形成第一空气腔；在所述第一衬底上形成第二空气腔，该第二空气腔与第一空气腔位置相对。

7.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器的制作方法，其中，所述第一凸部与所述第一接触孔对应，第二凸部与所述第二接触孔对应，所述第一凸部和第二凸部的高度分别大于所述第一接触孔和第二接触孔的深度。