[发明专利]一种光刻二元谐衍射Alvarez透镜变焦系统的方法

权利要求书

1.一种光刻二元谐衍射Alvarez透镜变焦系统的方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

步骤一：取一块长方体玻璃板；

步骤二：确定谐衍射Alvarez透镜的面形；其中Alvarez透镜的表面多项式方程为：

其中A表示为多项式系数；

谐衍射Alvarez透镜根据Alvarez透镜的面形，以2mπ(m＝2)的相位差切割原Alvarez透镜，因此谐衍射Alvarez透镜相邻环带间的相位差是2mπ，m＝2；

步骤三：确定一阶掩模位置

先在谐衍射Alvarez透镜的mπ的相位处，将谐衍射Alvarez透镜分为上半区与下半区，如果谐衍射Alvarez透镜的表面面形在此透镜的上半区，那么就在基板相对应的位置放置掩模；下半区相对应的位置不放置掩模；

步骤四：光刻

用激光扫描基板，在没有掩模的基板上激光将其切割出一个台阶，而有掩模处的基板激光不切割；

步骤五：确定高阶掩模位置并光刻

当需要放置二阶掩模时，将谐衍射Alvarez透镜的(1/2)mπ与(3/2)mπ的相位处标记出来，并且谐衍射Alvarez透镜的表面面形高于(1/2)mπ处相对应的基板位置放置掩模，介于mπ和(3/2)mπ之间处相对应的基板位置放置掩模，其余位置不放置掩模，并进行光刻，光刻深度为第一次光刻深度的1/2倍；

当需要放置三阶掩模时，将谐衍射Alvarez透镜的(1/4)mπ，(3/4)mπ，(5/4)mπ与(7/4)mπ的相位处标记出来；当谐衍射Alvarez透镜的表面面形高于(1/4)mπ处相对应的基板位置放置掩模，并且在介于(1/2)mπ到(3/4)mπ、mΠ到(5/4)mπ、(3/2)mπ到(7/4)mπ处相对应的基板位置放置掩模；在进行光刻，光刻的厚度为第一次光刻深度的1/3倍；

放置第N阶掩模时，将谐衍射Alvarez透镜的mπ*1/2^N-1，3mπ*1/2^N-1…(2^N-1)mπ*1/2^N-1的相位处标记出来,当谐衍射Alvarez透镜的表面面形高于(mπ*1/2^N-1处相对应的基板位置放置掩模，并且在介于(1/2)mπ到(3/4)mπ、mΠ到(5/4)mπ、(3/2)mπ到(7/4)mπ处相对应的基板位置放置掩模，并且在介于mπ/2^N-1到3mπ*1/2^N-1、…(2^N-1-2)mπ*1/2^N-1到(2^N-1-1)mπ*1/2^N-1，(2^N-2)mπ*1/2^N-1到(2^N-1)mπ*1/2^N-1处相对应的基板位置放置掩模；N＞3；其余位置不放置掩模，并进行光刻，光刻深度为第一次光刻深度的1/N。