[发明专利]一种电熔丝结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810842465.X | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109037190B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张彦伟;李润领;关天鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电熔丝 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种电熔丝结构的制造方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成对应所述电熔丝结构的多晶硅；
对所述多晶硅进行第一掺杂类型的源漏离子注入；
对所述多晶硅进行第二掺杂类型的源漏离子注入，所述第一掺杂类型不同于所述第二掺杂类型，所述第一掺杂类型的源漏离子注入的浓度与所述第二掺杂类型的源漏离子注入浓度相当，以中和所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型的源漏离子注入；以及
在掺杂后的所述多晶硅表面形成金属多晶硅化物。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型的源漏离子注入的浓度与所述第二掺杂类型的源漏离子注入浓度皆在10E14-10E15范围内。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬底上还形成有CMOS结构，所述CMOS结构位于所述电熔丝结构区域外的所述衬底上；
所述第一掺杂类型的源漏离子与所述CMOS结构的第一掺杂类型的源漏离子在同一步骤中注入；
所述第二掺杂类型的源漏离子与所述CMOS结构的第二掺杂类型的源漏离子在同一步骤中注入。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括，在所述衬底上形成浅沟槽隔离；
所述多晶硅形成在所述浅沟槽隔离上。
7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述电熔丝结构包括阳极、阴极以及连接所述阳极与所述阴极的电熔丝本体，所述形成多晶硅的步骤进一步包括：
在所述衬底表面沉积多晶硅层；
对应所述阳极、所述阴极以及所述电熔丝本体图案化所述多晶硅层；以及
蚀刻所述图案化后的多晶硅层，以形成对应所述电熔丝结构的所述多晶硅。
8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：在所述阳极、所述阴极分别形成若干接触孔。
9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用自对准多晶硅化物工艺在所述多晶硅表面形成所述金属多晶硅化物。
10.一种采用权利要求1-9中任一项所述的制造方法制造的电熔丝结构。
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