[发明专利]有机发光器件

权利要求书

1.有机发光器件，包括：

第一电极，

面对所述第一电极的第二电极，以及

设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，

其中

所述有机层包括发射层，

所述发射层包括电子传输主体、空穴传输主体、和掺杂剂，

所述掺杂剂包括有机金属化合物，且所述有机金属化合物不包括铱，

所述有机发光器件满足如下的条件：LUMO(掺杂剂)-LUMO(主体-E)≥0.15eV，和LUMO(主体-E)-HOMO(主体-H)T1(掺杂剂)，和

所述掺杂剂满足如下的条件：T1(掺杂剂)≤E能隙(掺杂剂)≤T1(掺杂剂)+0.5电子伏，

其中LUMO(掺杂剂)表示所述发射层中的掺杂剂的以电子伏表示的最低未占分子轨道(LUMO)能级，

LUMO(主体-E)表示所述发射层中的电子传输主体的以电子伏表示的LUMO能级，

HOMO(主体-H)表示所述发射层中的空穴传输主体的以电子伏表示的最高占据分子轨道(HOMO)能级，

T1(掺杂剂)表示所述发射层中的掺杂剂的以电子伏表示的三线态能级，

LUMO(掺杂剂)、LUMO(主体-E)、和HOMO(主体-H)各自表示使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值，

T1(掺杂剂)为由使用发光测量设备测量的所述掺杂剂的磷光光谱的峰值波长计算的值，

E能隙(掺杂剂)为在所述掺杂剂的HOMO(掺杂剂)和LUMO(掺杂剂)之间的差，和

HOMO(掺杂剂)表示所述掺杂剂的HOMO能级，其为使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值。

2.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述有机发光器件满足如下的条件：0.15eV≤LUMO(掺杂剂)-LUMO(主体-E)≤0.6电子伏。

3.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述有机发光器件满足如下的条件：0电子伏[LUMO(主体-E)-HOMO(主体-H)]-T1(掺杂剂)≤0.5电子伏。

4.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述有机发光器件满足如下的条件：LUMO(掺杂剂)LUMO(主体-H)，其中LUMO(主体-H)表示所述发射层中的空穴传输主体的以电子伏表示的LUMO能级，其为使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值。

5.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述有机发光器件满足如下的条件：LUMO(主体-E)LUMO(主体-H)，其中LUMO(主体-H)表示所述发射层中的空穴传输主体的以电子伏表示的LUMO能级，其为使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值。

6.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述有机发光器件满足如下的条件：LUMO(主体-E)LUMO(掺杂剂)LUMO(主体-H)，其中LUMO(主体-H)表示所述发射层中的空穴传输主体的以电子伏表示的LUMO能级，其为使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值。

7.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述有机发光器件满足如下的条件：HOMO(主体-E)HOMO(主体-H)，其中HOMO(主体-E)表示所述发射层中的电子传输主体的以电子伏表示的HOMO能级，其为使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值。

8.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述掺杂剂为包括铂(Pt)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铥(Tm)、铑(Rh)、钌(Ru)、铼(Re)、铍(Be)、镁(Mg)、铝(Al)、钙(Ca)、锰(Mn)、钴(Co)、铜(Cu)、锌(Zn)、镓(Ga)、锗(Ge)、钯(Pd)、银(Ag)、或金(Au)的有机金属化合物。

9.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述掺杂剂为具有正方形平面配位结构的有机金属化合物。