[发明专利]一种阵列基板及其修复方法、显示面板有效
申请号: | 201810842771.3 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN108873529B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 胡浪;李凯强;于洋;王朝磊;荣南楠;蒋耀华;吴秋林;张宝昊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 修复 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底,设于所述衬底上的沿第一方向设置的多根栅线,沿第二方向设置的多根数据线以及多根公共电极线,所述公共电极线与数据线交替设置;
所述多根栅线与多根公共电极线、多根数据线交叉限定出多个像素单元,每两个相邻的且位于一根公共电极线两侧的像素单元为一个像素单元组,同组中的两个像素单元的公共电极均连接二者间的公共电极线;其中,
至少部分在第一方向上相邻像素单元组之间设有修复结构,修复结构与其两侧的像素单元的公共电极连接,用于在栅线和/或数据线具有断点时进行修复,使部分位置处通过公共电极传递栅线和/或数据线中的信号;
每一像素单元组包括第一像素单元和第二像素单元,所述第一像素单元包括第一薄膜晶体管,所述第二像素单元包括第二薄膜晶体管,同一像素单元组的所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极与同一数据线连接;
所述第一薄膜晶体管的漏极与第一像素单元的像素电极连接;所述第二薄膜晶体管的漏极通过导线与第二像素单元的像素电极连接,所述第二薄膜晶体管和导线不被公共电极覆盖。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述修复结构与栅线同层设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述修复结构包括均与数据线平行的第一修复线和第二修复线,所述第一修复线和第二修复线分别设于相邻像素单元组之间的数据线的两侧,所述第一修复线和第二修复线的至少部分位置通过中线连接,所述中线与该数据线具有交叠处且相互绝缘。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导线包括与公共电极同层的连接电极,和/或与数据线同层的金属连接线。
5.一种阵列基板的修复方法,其特征在于,所述阵列基板为权利要求1-4任一项所述的阵列基板,至少部分所述栅线和/或数据线具有断点,所述方法包括切割与该具有断点的栅线和/或数据线相邻的修复结构,切割该修复结构两侧的像素单元的公共电极,以使该具有断点的栅线和/或数据线通过该修复结构的部分位置和所述公共电极的部分位置传递栅线和/或数据线中的信号的步骤。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的修复方法,其特征在于,所述阵列基板为权利要求3所述的阵列基板,至少一根数据线具有第一断点,所述第一断点位于相邻的两个修复结构的中线之间,所述修复方法包括以下步骤:
将第一断点两侧相邻的两个修复结构的第二修复线均与中线切断;
以所述两个修复结构的第一修复线在与中线相交且背离第一断点的一侧为起点,切割第一修复线及其所在像素单元的公共电极至该像素单元的公共电极线;
将第一断点两侧相邻的两个修复结构的中线均与数据线电连接,
将所述两个修复结构的第一修复线通过各自所在像素单元的被切割的公共电极,以及各自所在像素单元之间的公共电极线电连接。
7.根据权利要求5所述的阵列基板的修复方法,其特征在于,所述阵列基板为权利要求3所述的阵列基板,至少一根与所述第二像素单元连接的栅线具有第二断点,所述第二断点在两个第二像素单元之间,所述修复方法包括以下步骤:
将所述第二断点两侧的公共电极线在具有第二断点的栅线两侧的像素单元之间切断为两个公共电极线段;
将所述公共电极线段的一端与该栅线的交叉处分别通过焊点电连接;
以所述公共电极线段的另一端为起点,切割该起点所在像素单元的公共电极至该像素单元的第一修复线与中线相交且背离第一断点的一侧;
将所述两个焊点之间通过两个公共电极线段、以及被切割的公共电极电连接。
8.根据权利要求5所述的阵列基板的修复方法,其特征在于,所述阵列基板为权利要求1所述的阵列基板,至少部分所述第二像素单元被检测为亮点,所述修复方法包括:
将被检测为亮点的第二像素单元的导线在与该第二像素单元相邻的公共电极线的两侧切断。
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