[发明专利]发光装置以及电子设备在审
申请号: | 201810842920.6 | 申请日: | 2014-01-29 |
公开(公告)号: | CN109273489A | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 太田人嗣;野泽陵一;野村猛 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体基板 发光装置 导电性材料 电子设备 像素电路 触点部 布线 电位 布线连接 显示区域 配置 | ||
本发明涉及发光装置以及电子设备。其中,发光装置具备:半导体基板;多个像素电路,其形成于上述半导体基板;第一布线,其由导电性材料形成,并被供给规定的电位;以及多个第一触点部,其由导电性材料形成,并使上述半导体基板以及上述第一布线连接,其中,上述多个第一触点部以及上述第一布线被设置于配置有上述多个像素电路的显示区域。
本申请是申请号为201410043092.1、申请日为2014年1月29日、发明名称为“发光装置以及电子设备”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及发光装置以及电子设备。
背景技术
近年来,提出了各种使用有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,以下称为“OLED”)元件等发光元件的发光装置。在该发光装置中,一般构成为与应显示的图像的像素对应地设置包括上述发光元件、向该发光元件供给电流的晶体管等的像素电路。在这样的构成中,若对该晶体管的栅极施加与像素的灰度等级对应的电位的数据信号,则该晶体管向发光元件供给与栅极-源极间的电压对应的电流。由此,该发光元件以与灰度等级对应的亮度发光。
这样的发光装置多要求显示尺寸的小型化、显示的高精细化。为了兼得显示尺寸的小型化与显示的高精细化,需要使像素电路小型化,所以提出了例如将像素电路设置于半导体基板的技术(例如参照专利文献 1)。
专利文献1:日本特开2012-083765号公报
然而,为了使发光元件以与灰度等级对应的亮度发光,需要将设置有包含该发光元件的像素电路的半导体基板的整体的电位均匀地保持在规定的电位。但是,半导体基板例如与金属等相比,电阻较高,所以多数情况下难以将半导体基板的整体的电位保持在上述规定的电位。
在半导体基板的电位为与本来应设定的电位不同的电位的情况下,发光元件不能够以与灰度等级对应的准确的亮度发光,其结果,有时产生显示不均等,导致发光装置的显示品质的降低。
发明内容
本发明是鉴于上述的情况而完成的,其目的之一在于,防止在将像素电路形成于半导体基板时,该半导体基板被设定成与本来应设定的电位不同的电位而引起的显示不均等显示上的不良状况的产生。
为了实现上述目的,本发明的发光装置的特征在于,具备:半导体基板;多个像素电路,其形成于上述半导体基板;第一布线,其由导电性材料形成,并被供给规定的电位;以及多个第一触点部,其由导电性材料形成,并连接上述半导体基板以及上述第一布线,上述多个第一触点部以及上述第一布线被设置于配置有上述多个像素电路的显示区域。
根据该发明,在配置有多个像素电路的显示区域设置由电阻较低的导电性材料形成的第一布线,该第一布线和半导体基板通过由电阻较低的导电性材料形成的多个第一触点部连接。因此,能够遍及显示区域的整个区域,将半导体基板的电位设定成规定的电位或者能够视为规定的电位的电位,与未设置第一布线的情况和未设置多个第一触点部的情况相比较,能够使半导体基板的电位均匀化。由此,防止产生因半导体电位成为与本来应设定的电位不同的电位而引起的显示不均等显示上的不良状况,而能够实现较高的显示品质。
另外,优选在上述的发光装置中,特征在于,上述多个像素电路包含两个以上的第一像素电路,上述第一像素电路具备发光元件、和对上述发光元件供给电流的第一晶体管,上述第一晶体管的源极电极与上述第一触点部连接。
第一晶体管向发光元件供给与第一晶体管的源极-栅极间的电压对应的大小的电流。而且,发光元件以与供给的电流的大小对应的亮度发光。因此,在第一晶体管的源极的电位为与本来应设定的电位不同的电位的情况下,从该第一晶体管接受电流的供给的发光元件以与本来的亮度不同的亮度发光,从而显示品质降低。
根据该方式,第一晶体管的源极电极与第一触点部连接。因此,能够将第一晶体管的源极的电位准确地设定为上述规定的电位,能够使发光元件以与灰度等级对应的准确的亮度发光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的