[发明专利]一种三维吸气剂薄膜结构及其制备方法

权利要求书

1.一种三维吸气剂薄膜结构，其特征在于，包括衬底(1)、凸出部(3)，所述凸出部(3)以阵列排布方式分布在所述衬底(1)的表面；以及

吸气剂薄膜(2)，所述凸出部(3)用于增大所述吸气剂薄膜(2)的表面积。

2.根据权利要求1所述的一种三维吸气剂薄膜结构，其特征在于：所述衬底(1)表面通过深硅蚀刻工艺形成凹槽，没有蚀刻的部分形成凸出部(3)。

3.根据权利要求2所述的一种三维吸气剂薄膜结构，其特征在于：所述衬底(1)表面凹槽的横截面形状为圆形、多边形、蜂窝状或多层嵌套阵列图形的一种或几种的混合。

4.根据权利要求1所述的一种三维吸气剂薄膜结构，其特征在于：所述凸出部(3)具有侧壁和底面，所述凸出部(3)的底面位于所述衬底表面，所述凸出部(3)的侧壁垂直于所述凸出部(3)的底面，所述凸出部(3)的剖面呈U型。

5.根据权利要求4所述的一种三维吸气剂薄膜结构，其特征在于：所述凸出部(3)的横截面形状为圆形、多边形或其它不规则图形的一种或几种的混合。

6.根据权利要求4所述的一种三维吸气剂薄膜结构，其特征在于：还包括粘附层(4)，所述粘附层(4)沉积在所述衬底(1)表面，所述凸出部(3)以阵列排布方式分布于所述粘附层(4)表面，所述吸气剂薄膜(2)均匀沉积在所述凸出部(3)和未被所述凸出部(3)覆盖的粘附层(4)表面。

7.根据权利要求4所述的一种三维吸气剂薄膜结构，其特征在于：所述凸出部(3)有多层，所述多层凸出部(3)纵向叠加。

8.一种三维吸气剂薄膜结构的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(a)提供衬底(1)，在衬底(1)上制作光刻图形；

(b)在衬底(1)上深硅蚀刻凹槽，未被蚀刻的衬底(1)表面相对所述凹槽形成凸出部；

(c)衬底(1)表面去胶并清洗；

(d)在衬底(1)上再次制作光刻图形并对衬底(1)进行扫胶处理；

(e)在带有凹槽和凸出部(3)的衬底(1)上沉积吸气剂薄膜(2)；

(f)去除LOR胶和光刻胶，并清洗、烘干。

9.一种三维吸气剂薄膜结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)提供衬底(1)，在所述衬底(1)上沉积粘附层(4)；

(b)在粘附层(4)上沉积牺牲层(5)；

(c)将牺牲层(5)图形化；

(d)在图形化的牺牲层(5)表面及未被牺牲层(5)覆盖的薄膜表面沉积支撑层(6)；

(e)蚀刻图形化牺牲层(5)表面的支撑层(6)以形成可以释放牺牲层(5)的开口；

(f)通过所述开口释放牺牲层(5)，形成多个以阵列排布方式分布的凸出部(3)；

(g)在步骤(f)所得的薄膜结构表面沉积吸气剂薄膜(2)。

10.根据权利要求9所述的一种三维吸气剂薄膜结构的制备方法，其特征在于，完成步骤(e)后，重复步骤(b)至步骤(e)，制备双层或更多层步骤(e)形成的支撑层结构。