[发明专利]半导体到金属的过渡

权利要求书

1.一种半导体器件，包括具有第一导电类型的第一电荷载流子的第一半导体区和具有第二电荷载流子的第二半导体区，其中，所述第一半导体区包括：

与所述第二半导体区接触的过渡区，所述过渡区具有第一浓度的所述第一电荷载流子；

具有第二浓度的所述第一电荷载流子的接触区，其中，所述第二浓度高于所述第一浓度；以及

在所述接触区和所述过渡区之间的损伤区，所述损伤区被配置为与所述接触区和所述过渡区的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率相比，降低所述损伤区的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触区掺杂有接触区掺杂材料，所述接触区掺杂材料包括硼和磷中的至少一种，并且其中，所述接触区掺杂材料建立所述第一电荷载流子在所述接触区中的存在。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述损伤区掺杂有损伤区掺杂材料，所述损伤区掺杂材料包括锗、硅、碳、氦、氖、氩、氙和氪中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述损伤区掺杂材料不被激活。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述过渡区和所述接触区掺杂有相同的接触区掺杂材料，并且其中，所述过渡区中包含的所述接触区掺杂材料建立所述第一电荷载流子在所述过渡区中的存在。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二半导体区掺杂有第二半导体区掺杂材料，所述第二半导体区掺杂材料建立所述第二电荷载流子的存在。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二半导体区掺杂材料包括磷、砷和锑中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述损伤区在由所述半导体器件传导的负载电流的流动方向上具有在50 nm到1000 nm的范围内的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触区在由所述半导体器件传导的负载电流的流动方向上具有在50 nm到1000 nm的范围内的厚度。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述过渡区在由所述半导体器件传导的负载电流的流动方向上具有在200 nm到10000 nm的范围内的厚度。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触区中的所述第一电荷载流子的第二浓度是所述过渡区中的所述第一电荷载流子的第一浓度的至少50倍。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述损伤区在由所述半导体器件传导的负载电流的流动方向上与所述接触区相比更深地延伸到所述第一半导体区中，并且其中，所述过渡区与所述损伤区相比更深地延伸到所述第一半导体区中。

13.一种半导体部件到金属接触的过渡，所述金属接触包括：

金属化层，被配置用于通过外接触部接触并且用于经由所述外接触部接收负载电流；

其中，所述半导体部件包括：

第一半导体区，所述第一半导体区具有第一导电类型的第一电荷载流子；以及

第二半导体区，所述第二半导体区具有第二电荷载流子；

其中，所述第一半导体区包括：

与所述第二半导体区接触的过渡区，所述过渡区具有第一浓度的第一电荷载流子；

具有第二浓度的所述第一电荷载流子的接触区，所述第二浓度高于所述第一浓度；

在所述接触区和所述过渡区之间的损伤区，所述损伤区被配置用于与所述接触区和所述过渡区的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率相比，降低所述损伤区的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率。