[发明专利]偏斜补偿电路以及包括其的半导体装置

说明书

本发明公开了一种偏斜补偿电路以及包括其的半导体装置。一种偏斜补偿电路包括：偏斜检测电路，其被配置为通过检测构成半导体装置的基本逻辑元件的偏斜特性来产生偏斜检测信号；偏斜补偿信号发生电路，其被配置为通过将偏斜检测信号与多个参考电压进行比较来产生偏斜补偿信号；可变延迟电路，其被配置为通过将输入信号延迟根据偏斜补偿信号而变化的延迟时间来产生补偿信号；以及参考电压发生电路，其被配置为产生多个参考电压，该多个参考电压的偏移分量根据温度的变化和外部电压的变化而被补偿。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年11月20日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0155062的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言涉及一种半导体电路，并且更具体地，涉及一种偏斜补偿电路以及包括偏斜补偿电路的半导体装置。

背景技术

随着操作速度的提高，半导体装置需要更严格地遵守固定操作标准以确保稳定的操作可靠性。

然而，随着集成度的提高，半导体装置难以遵守根据PVT(功率、电压或温度)变化的规范。

因此，需要通过根据PVT变化而对与内部操作相关的信号的偏斜进行补偿来提高半导体装置的操作可靠性。

发明内容

各种实施例提供了一种能够对与半导体装置中的内部操作相关的信号的偏斜进行补偿的偏斜补偿电路以及包括该偏斜补偿电路的半导体装置。

在本公开的一个实施例中，一种偏斜补偿电路可以包括：偏斜检测电路，其被配置为通过检测构成半导体装置的基本逻辑元件的偏斜特性来产生偏斜检测信号；偏斜补偿信号发生电路，其被配置为通过将所述偏斜检测信号与多个参考电压进行比较来产生偏斜补偿信号；可变延迟电路，其被配置为通过将输入信号延迟根据所述偏斜补偿信号而变化的延迟时间来产生补偿信号；以及参考电压发生电路，其被配置为产生所述多个参考电压，所述多个参考电压的偏移分量根据温度的变化和外部电压的变化而被补偿。

在本公开的一个实施例中，一种偏斜补偿电路可以包括：整流器，其被配置为通过对外部电压进行整流来产生对外部电压的变化进行补偿的整流电压；偏斜检测电路，其被配置为通过使用所述整流电压来检测NMOS晶体管的阈值电压特性和PMOS晶体管的阈值电压特性而产生第一偏斜检测信号和第二偏斜检测信号；偏斜补偿信号发生电路，其被配置为通过将所述第一偏斜检测信号和第二偏斜检测信号与多个参考电压进行比较来产生偏斜补偿信号；可变延迟电路，其被配置为通过将输入信号延迟根据所述偏斜补偿信号而变化的延迟时间来产生补偿信号；以及参考电压发生电路，其被配置为在使用整流电压产生的多个分压之中选择与当前温度相对应的部分分压并且将选中的分压输出为所述多个参考电压。

在本公开的一个实施例中，一种半导体装置可以包括：延迟锁定环电路，其被配置为使用复制电路来产生延迟锁定环时钟信号，在所述复制电路中对所述半导体装置的内部延迟时间进行建模；以及偏斜补偿电路，其被配置为通过根据构成所述半导体装置的基本逻辑元件的偏斜特性的检测结果而对所述延迟锁定环时钟信号的延迟时间偏移进行补偿来产生补偿信号。

在本公开的一个实施例中，一种半导体装置可以包括：输入缓冲器，其被配置为通过缓冲输入信号来产生输出信号并且根据偏斜补偿信号来控制吸收(sink)电流量；以及偏斜补偿电路，其被配置为根据构成所述半导体装置的基本逻辑元件的偏斜特性的检测结果来产生所述偏斜补偿信号。

下面在题为“具体实施方式”的部分描述这些特征、方面和其他特征、方面以及实施例。

附图说明

结合附图从下面的详细描述中能更清晰地理解本公开的主题的上述和其他方面、特征以及优点，其中：

图1是示出根据本公开的实施例的偏斜补偿电路的配置的示图；