[发明专利]半导体封装及制作半导体封装的方法

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

第一管芯；

第一重布线层，设置在所述第一管芯的上方且与所述第一管芯电连接，其中所述第一重布线层包括第一双镶嵌重布线图案及第一晶种金属图案，所述第一双镶嵌重布线图案包括第一通孔部分及直接位于所述第一通孔部分上的第一布线部分，且所述第一晶种金属图案覆盖所述第一布线部分的侧壁且覆盖所述第一通孔部分的侧壁及底表面；

第二重布线层，设置在所述第一重布线层上及所述第一管芯的上方且与所述第一重布线层及所述第一管芯电连接，其中所述第二重布线层包括第二双镶嵌重布线图案及第二晶种金属图案，所述第二双镶嵌重布线图案包括第二通孔部分及直接位于所述第二通孔部分上的第二布线部分，且所述第二晶种金属图案覆盖所述第二布线部分的侧壁且覆盖所述第二通孔部分的侧壁及底表面；

多个层间穿孔，设置在所述第一管芯旁边并且在所述第一通孔部分的位置处直接连接到所述第一晶种金属图案；以及

模塑化合物，侧向地包封所述第一管芯及所述多个层间穿孔，

其中所述第二通孔部分的位置与所述第一通孔部分的位置对齐。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第二双镶嵌重布线图案直接位于所述第一双镶嵌重布线图案上，且所述第二晶种金属图案接触所述第一重布线层的所述第一双镶嵌重布线图案。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第二通孔部分的正交投影与所述第一通孔部分的正交投影完全重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一通孔部分的底部大小大于所述第二通孔部分的底部大小，且所述第一通孔部分的正交投影与所述第二通孔部分的正交投影以同心方式彼此重叠。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，其中所述第一重布线层及所述第二重布线层位于所述模塑化合物的第一侧上。

6.根据权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，还包括位于所述模塑化合物第二侧上的背侧重布线结构，其中所述多个层间穿孔穿透过所述模塑化合物且与所述背侧重布线结构连接。

7.根据权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，还包括包封在所述模塑化合物中的第二管芯及位于所述模塑化合物与所述第一重布线层之间及所述模塑化合物与所述第二重布线层之间的内连结构。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其特征在于，还包括中介层及位于所述中介层中的多个中介层穿孔，其中所述中介层及所述多个中介层穿孔位于所述内连结构与所述第一重布线层之间及所述内连结构与所述第二重布线层之间。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括位于所述第二重布线层上的第三重布线层，其中所述第三重布线层包括第三双镶嵌重布线图案，所述第三双镶嵌重布线图案具有第三通孔部分，且所述第三通孔部分的位置与所述第一通孔部分的所述位置及所述第二通孔部分的所述位置对齐。