[发明专利]一种ReBa2

权利要求书

1.一种ReBa₂Cu₃O_7-x超导薄膜上制备钉扎层的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供金属元素掺杂的ReBa₂Cu₃O_7-x模板层，以及在所述ReBa₂Cu₃O_7-x模板层表面沉积ReBa₂Cu₃O_7-x超导层；以及，激光照射所述ReBa₂Cu₃O_7-x超导层；

具体的步骤为：

（1）将M、Re、Ba、Cu的固态前驱体粉末按比例混合溶于THF有机溶剂中，得到前驱体的混合溶液，加热得到前驱体蒸气，用Ar载流气将反应前驱体蒸气送入反应腔，M代表金属;

（2）在10-200W的激光和200-1000K下，前驱体蒸气分子进行化学气相沉积，生成固态产物沉积在衬底表面，沉积时间1-1200s，得到厚度为0.2-200nm的M取代Re的ReBa₂Cu₃O_7-x模板层；

（3）激光照射模板层，MBa₂Cu₃O_7-x晶格与周围未被取代的ReBa₂Cu₃O_7-x晶格在二维平面相互渗透形成共晶结构；

（4）将Re、Ba、Cu的固态前驱体粉末溶于THF有机溶剂中制成溶液，加热用激光化学气相沉积法在模板层上制备ReBa₂Cu₃O_7-x超导层；

（5）激光照射下ReBa₂Cu₃O_7-x超导层，晶核继续长大聚集成薄膜状得到钉扎层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属为Ce。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述x的范围为0~1。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Re为Y、Yb中的一种或两种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述ReBa₂Cu₃O_7-x模板层沉积到衬底上，所述衬底为具有复合缓冲层的含钨的镍铬钼合金衬底。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述复合缓冲层为CeO₂、LaMnO₃、MgO、Gd₂Zr₂O₇中的一种或多种。