[发明专利]一种利用激光束制备单晶纳米颗粒的方法

权利要求书

1.一种利用激光束制备单晶纳米颗粒的方法，其特征在于，所述方法包括：在基底上沉积纳米薄膜，用激光束辐照所述纳米薄膜，所述激光束的光斑直径不大于500nm，所述激光束的扫描功率为40～50mW，频率为2×10⁴～2×10⁵Hz，脉冲宽度为200～2000ns，得到单晶纳米颗粒阵列。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底包括玻璃片、石英片或硅片中任意一种。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基底为玻璃片或石英片。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积的方法为射频磁控溅射法、电子束蒸镀法或热蒸镀法中任意一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米薄膜包括金属纳米薄膜、合金纳米薄膜或半导体纳米薄膜中任意一种。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属包括Au、Ag、Cu、Fe、Co或Ni中任意一种。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述金属为Au或Ag。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述合金包括CuCo合金或AuAg合金。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述半导体包括Si或Ge。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米薄膜的厚度为3～50nm。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光束的光斑直径不大于300nm。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光束辐照的方式为光栅扫描式。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述激光束辐照的方式为振镜扫描式。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒包括金属纳米颗粒、合金纳米颗粒或半导体纳米颗粒中任意一种。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述金属包括Au、Ag、Cu、Fe、Co或Ni中任意一种。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述金属为Au或Ag。

17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述合金包括CuCo合金或AuAg合金。

18.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述半导体包括Si或Ge。

19.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒的直径为4～55nm。

20.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒的分布面积达到厘米级尺寸。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述厘米级尺寸的大小为1～10cm。

22.根据权利要求1-21任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

(1)在基底上沉积厚度为3～50nm的纳米薄膜，所述纳米薄膜包括金属纳米薄膜、合金纳米薄膜或半导体纳米薄膜中任意一种；

(2)用激光束辐照步骤(1)所述纳米薄膜，所述激光束采用光栅扫描式辐照，激光束的光斑直径不大于500nm，扫描功率为40～50mW，频率为2×10⁴～2×10⁵Hz，脉冲宽度为200～2000ns，得到单晶纳米颗粒阵列，所述纳米颗粒的直径为4～55nm。