[发明专利]一种用于点阵液晶驱动芯片的电压切换电路及方法有效

专利信息
申请号: 201810846926.0 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN108597473B 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 荀本鹏;黄硕;由德强 申请(专利权)人: 上海芯北电子科技有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 代理人: 郭桂峰
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 点阵 液晶 驱动 芯片 电压 切换 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种用于点阵液晶驱动芯片的电压切换电路,其特征在于,包括:电平转换及选通模块,及与所述电平转换及选通模块电连接的若干高压MUX模块;所述若干高压MUX模块并联;其中:

所述电平转换及选通模块,用于将输入的液晶驱动方波电压转换为不同幅值的输出电压,并选通不同幅值的输出电压提供给所述若干高压MUX模块;

所述高压MUX模块,用于在所述电平转换及选通模块提供的输出电压下,根据输入的对应的逻辑控制信号,生成相应的驱动控制信号;

所述电平转换及选通模块包括:第一电平转换电路、第三电平转换电路、第四电平转换电路,及第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管;其中:

所述第一电平转换电路、所述第三电平转换电路及所述第四电平转换电路的输入端输入所述液晶驱动方波电压;所述第一电平转换电路的输出端与所述第一MOS管的栅极电连接;所述第三电平转换电路的输出端与所述第三MOS管的栅极电连接;所述第四电平转换电路的输出端与所述第四MOS管的栅极电连接;所述第一MOS管的源极接电源VDDH;所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极电连接;所述第二MOS管的栅极输入所述液晶驱动方波电压,所述第二MOS管的源极与所述第三MOS管的源极电连接,所述第三MOS管的漏极与所述第四MOS管的漏极电连接,所述第四MOS管的源极接电源VSSH;

所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极的连接结点作为所述电平转换及选通模块的第一输出端,所述第三MOS管的漏极与所述第四MOS管的漏极的连接结点作为所述电平转换及选通模块的第二输出端;

当所述液晶驱动方波电压为低电平时,

通过所述第一电平转换电路为所述第一MOS管提供的输入电压为VDDH-VDD,所述第一MOS管导通;所述第二MOS管的输入电压为GND,所述第二MOS管断开;通过所述第三电平转换电路为所述第三MOS管提供的输入电压为GND-VDD,所述第三MOS管导通;通过所述第四电平转换电路为所述第四MOS管提供的输入电压为VSSH,所述第四MOS管断开;

所述电平转换及选通模块的第一输出端,输出的电压VH的电压值为VDDH;所述电平转换及选通模块的第二输出端,输出的电压VL的电压值为GND;

当所述当所述液晶驱动方波电压为高电平时,

通过所述第一电平转换电路为所述第一MOS管提供的输入电压为VDDH,所述第一MOS管断开;所述第二MOS管的输入电压为VDD,所述第二MOS管闭合;通过所述第三电平转换电路为所述第三MOS管提供的输入电压为GND,所述第三MOS管断开;通过所述第四电平转换电路为所述第四MOS管提供的输入电压为VSSH+VDD,所述第四MOS管闭合;

所述电平转换及选通模块的第一输出端,输出的电压VH的电压值为GND;所述电平转换及选通模块的第二输出端,输出的电压VL的电压值为VSSH。

2.根据权利要求1所述的一种用于点阵液晶驱动芯片的电压切换电路,其特征在于,所述高压MUX模块包括:第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第五MOS管、第六MOS管、及第一钳位二极管、第二钳位二极管;其中:

所述第一电阻、所述第一电容、所述第二电容及所述第二电阻依次串联;所述第一钳位二极管与所述第一电阻并联,所述第五MOS管的源极与所述第一钳位二极管的负极端电连接;所述第五MOS管的栅极与所述第一钳位二极管的正极端电连接;

所述第二钳位二极管与所述第二电阻并联,所述第六MOS管的源极与所述第二钳位二极管的正极端电连接;所述第六MOS管的栅极与所述第二钳位二极管的负极端电连接,所述第六MOS管的漏极与所述第五MOS管的漏极电连接;

所述第一电容和所述第二电容的连接结点作为输入端接收所述高压MUX模块的逻辑输入控制信号;所述第五MOS管的源极与所述电压转换及选通电路的第一输出端电连接,所述第六MOS管的源极与所述电压转换及选通电路的第二输出端电连接;所述第五MOS管的漏极与所述第六MOS管的漏极的连接结点作为所述MUX模块的输出端,输出对应的驱动控制信号。

3.根据权利要求2所述的一种用于点阵液晶驱动芯片的电压切换电路,其特征在于,所述第五MOS管及第六MOS管为LDMOS管。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海芯北电子科技有限公司,未经上海芯北电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810846926.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top