[发明专利]一种基于碘氧化铋薄膜的忆阻器、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201810847058.8 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108987569B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 闫小兵;赵孟柳;王宏;任德亮 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 胡素梅;苏艳肃 |
| 地址： | 071002 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 薄膜 忆阻器 制备 方法 应用 | ||
1.一种基于碘氧化铋薄膜的忆阻器，其特征是，包括底电极，在所述底电极上制有由碘氧化铋薄膜构成的阻变功能层，在所述阻变功能层上制有顶电极。
2.根据权利要求1所述的基于碘氧化铋薄膜的忆阻器，其特征是，所述底电极为FTO层，所述顶电极为Ti电极，从而形成Ti/BiOI/FTO结构的器件。
3.根据权利要求1所述的基于碘氧化铋薄膜的忆阻器，其特征是，所述碘氧化铋薄膜的厚度为56 nm。
4.一种基于碘氧化铋薄膜的忆阻器的制备方法，其特征是，包括如下步骤：
a、在衬底上制备底电极；
b、在所述底电极上制备碘氧化铋薄膜作为阻变功能层；
c、在所述碘氧化铋薄膜上制备顶电极。
5.根据权利要求4所述的基于碘氧化铋薄膜的忆阻器的制备方法，其特征是，所述底电极为FTO层，所述顶电极为Ti电极，所形成的器件结构为Ti/BiOI/FTO。
6.根据权利要求4所述的基于碘氧化铋薄膜的忆阻器的制备方法，其特征是，步骤b中采用电化学沉积法制备碘氧化铋薄膜，具体如下：
b-1、将碘化钾溶于去离子水中，形成碘源溶液；
b-2、将五水合硝酸铋作为铋源加入碘源溶液中，搅拌至溶液澄清，再加入稀硝酸，使溶液pH值为1-2；
b-3、将对苯醌溶于无水乙醇中，并将其加入步骤b-2所得溶液中，形成电解液；
b-4、采用步骤b-3中电解液，用电化学沉积法制备碘氧化铋薄膜。
7.根据权利要求6所述的基于碘氧化铋薄膜的忆阻器的制备方法，其特征是，步骤b-4中工作电压为-0.1V，沉积时间为300s。
8.根据权利要求6所述的基于碘氧化铋薄膜的忆阻器的制备方法，其特征是，步骤b-2中使所获得的溶液pH值为1.7。
9.根据权利要求4所述的基于碘氧化铋薄膜的忆阻器的制备方法，其特征是，步骤b中所制备的碘氧化铋薄膜的厚度为56 nm。
10.一种权利要求1所述的忆阻器在模拟生物突触行为方面的应用。
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