[发明专利]电子产品壳体及其制备方法在审
| 申请号： | 201810847169.9 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN110760798A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 刘玉阳;赵长涛 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/34;C23C16/02;C23C16/26;C23C28/00 |
| 代理公司： | 11283 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈亚琴;刘依云 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子产品壳体 铝铬 物理力学性能 过渡层表面 类金刚石层 含硅基材 基材表面 高硬度 过渡层 结合力 耐腐蚀 镀膜 基材 制备 | ||
1.一种电子产品壳体，其特征在于，该壳体包括基材、设于基材表面的铝铬过渡层和设于铝铬过渡层表面的类金刚石层。
2.根据权利要求1所述的电子产品壳体，其中，所述铝铬过渡层中铝和铬元素的原子含量比为3∶7-5∶5；
优选地，所述铝铬过渡层的厚度为10-40nm。
3.根据权利要求1所述的电子产品壳体，其中，所述类金刚石层由甲烷和石墨形成；
优选地，所述类金刚石层的厚度为1-2μm。
4.根据权利要求1所述的电子产品壳体，其中，所述基材为含硅基材；
优选地，所述含硅基材为玻璃或陶瓷。
5.一种电子产品壳体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在真空条件下通入氩气，将铝铬靶材沉积在基材表面，以在基材表面形成铝铬过渡层；
(2)在真空条件下通入氩气，将碳源沉积在铝铬过渡层表面，以在铝铬过渡层表面形成类金刚石层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，在步骤(1)之前，还包括基材的有机溶剂清洗步骤；
优选地，所述基材为含硅基材；更优选地，所述含硅基材为玻璃或陶瓷。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其中，在步骤(1)之前，还包括在真空条件下通入氩气，对基材表面和铝铬靶材表面分别进行离子清洗；
优选地，所述离子清洗条件为：温度为70-110℃，离子清洗的压力为1×10-3-10×10-3Pa，时间为5-50min；
优选地，所述离子源为射频离子源或线性离子源。
8.根据权利要求5-7中任意一项所述的制备方法，其中，步骤(1)中，将铝铬靶材溅射到所述基材表面以进行铝铬过渡层的沉积镀膜；
优选地，所述铝铬靶材的溅射镀膜条件为：温度为70-110℃，氩气流量为400-500sccm，溅射气压为1×10-3-10×10-3Pa，溅射功率8-9kw，沉积时间为5-50min；
优选地，所述铝铬过渡层中铝和铬元素的原子含量比为3∶7-5∶5；
优选地，所述铝铬过渡层的厚度为10-40nm。
9.根据权利要求5-7中任意一项所述的制备方法，其中，步骤(2)中，将碳源沉积在铝铬过渡层表面的条件为：温度为70-110℃，沉积的压力为0.1-0.5Pa，沉积时间为5-50min；
优选地，所述碳源为甲烷和石墨。
10.权利要求5-9中任意一项所述的方法制备的电子产品壳体。
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