[发明专利]过温保护电路及具有其的数据线在审
| 申请号： | 201810847278.0 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108988292A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 唐科狄 | 申请（专利权）人： | 南昌黑鲨科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H5/04 | 分类号： | H02H5/04 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 林丽璀 |
| 地址： | 330008 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 温度感应模块 第一开关 通路端 感应电压 开关元件 过温保护电路 接地线 控制端 数据线 导通 开关元件断开 断开电路 接收输入 温度输出 元件断开 输出 电阻 烧毁 | ||
1.一种过温保护电路，其特征在于，包括温度感应模块、第一开关元件、第二开关元件及第一电阻；
所述温度感应模块用于根据环境温度输出感应电压；
所述第一开关元件包括第一通路端、第二通路端及第一控制端，所述第一通路端接收输入电压，所述第一控制端接收所述感应电压，所述第二通路端通过所述第一电阻与接地线相连；
所述第二开关元件包括第三通路端、第四通路端及第二控制端，所述第三通路端和所述第四通路端均与接地线相连，所述第二控制端与所述第一开关元件的第二通路端相连；
其中，当所述温度感应模块的环境温度低于所述温度感应模块的感应温度时，所述温度感应模块输出的感应电压使所述第一开关元件导通，以控制所述第二开关元件导通，当所述温度感应模块的环境温度高于或等于所述温度感应模块的感应温度时，所述温度感应模块输出的感应电压使所述第一开关元件断开，以控制所述第二开关元件断开。
2.如权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述第一开关元件为P沟道MOSFET场效应管，所述第二开关元件为N沟道MOSFET场效应管。
3.如权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，还包括第二电阻，所述第一开关元件的第二通路端通过所述第二电阻与所述第二开关元件的第二控制端相连。
4.如权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述温度感应模块包括串联在所述第一开关元件的第一通路端与接地线之间的第三电阻与热敏电阻，所述第三电阻与所述热敏电阻的公共端用于输出所述感应电压。
5.如权利要求4所述的过温保护电路，其特征在于，所述热敏电阻为正温度系数热敏电阻，所述第三电阻和所述正温度系数热敏电阻依次串联在所述第一开关元件的第一通路端与接地线之间。
6.如权利要求4所述的过温保护电路，其特征在于，所述热敏电阻为负温度系数热敏电阻，所述负温度系数热敏电阻和所述第三电阻依次串联在所述第一开关元件的第一通路端与接地线之间。
7.如权利要求4所述的过温保护电路，其特征在于，所述热敏电阻的感应温度为70-80℃，阻抗响应时间小于1s。
8.如权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，还包括第一稳压电容和第二稳压电容，所述第一稳压电容连接在所述第一开关元件的第一控制端与接地线之间，所述第二稳压电容连接在所述第二开关元件的第二控制端与接地线之间。
9.一种数据线，其特征在于，包括如权利要求1至8中任意一项所述的过温保护电路。
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