[发明专利]一种微盘拉曼激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上涂布光刻胶；其中，所述基板包括半导体基底，所述半导体基底上形成有氧化物半导体层；

将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜，对所述光刻胶进行光刻和显影，获取光刻胶圆盘；

以所述光刻胶圆盘作为掩膜，对所述氧化物半导体层进行各方向刻蚀参数不同的电感耦合等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘；其中，所述氧化物半导体微盘的侧面与所述半导体基底所在平面存在倾斜角；

对所述氧化物半导体微盘上的所述光刻胶圆盘进行清洗；

以所述氧化物半导体微盘作为掩模，刻蚀所述半导体基底，形成支撑所述氧化物半导体微盘的支撑柱；

所述微盘拉曼激光器的制作方法还包括：

通过调节所述电感耦合等离子体刻蚀中的反应气体的配比控制氧化物半导体微盘的侧面与所述半导体基底所在平面的倾斜角，以及所述氧化物半导体微盘的表面光滑度；和/或，

通过调节所述电感耦合等离子体刻蚀中的射频源的偏压功率控制氧化物半导体微盘的侧面与所述半导体基底所在平面的倾斜角，以及所述氧化物半导体微盘的表面光滑度。

2.根据权利要求1所述的微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于：

所述支撑柱与所述氧化物半导体微盘相接触的接触面的直径小于所述氧化物半导体微盘的直径。

3.根据权利要求1所述的微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于：

所述半导体基底为硅基底，所述氧化物半导体层为二氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于，对所述氧化物半导体层进行各方向刻蚀参数不同的电感耦合等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘，包括：

通过引流气体将反应气体输送至所述氧化物半导体层表面；

通过射频源将所述反应气体电离成等离子体；

所述等离子体对所述氧化物半导体层进行定向轰击，并与所述氧化物半导体层发生化学反应，获取氧化物半导体微盘。

5.根据权利要求4所述的微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于，所述反应气体包括下述气体中的至少一种：四氟化碳气体、六氟化硫气体、八氟环丁烷气体；

所述引流气体为氦气。

6.根据权利要求1所述的微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于，所述在基板上涂布光刻胶之前，还包括：

在基板上烘涂粘合剂。

7.一种微盘拉曼激光器，其特征在于，由上述权利要求1-6任一项所述的微盘拉曼激光器的制作方法制成，包括：半导体基底，所述半导体基底为硅基底；

设置于所述半导体基底上的至少一个氧化物半导体微盘；所述氧化物半导体微盘的侧面与所述半导体基底所在平面存在倾斜角；

所述半导体基底与所述至少一个氧化物半导体微盘相接触的一侧形成有与所述至少一个氧化物半导体微盘一一对应的支撑柱。

8.根据权利要求7所述的微盘拉曼激光器，其特征在于：

所述支撑柱与所述氧化物半导体微盘相接触的接触面的直径小于所述氧化物半导体微盘的直径。