[发明专利]一种保温管道泄漏检测装置

权利要求书

1.一种保温管道泄漏检测装置，其特征在于，包括：主控MCU、NB-IOT模块、升压电路、泄漏检测电路、解调电路以及电池，主控MCU的输出端与升压电路输入端连接，升压电路输出端与泄漏检测电路的输入端连接，泄漏检测电路的输出端解调电路的输入端连接，主控MCU的输入端与解调电路的输出端连接、输出端与NB-IOT模块输入端连接，电源分别与主控MCU和NB-IOT模块连接为其供电。

2.如权利要求1所述的保温管道泄漏检测装置，其特征在于，所述升压电路包括升压转换器，升压转换器的EN脚和VIN脚连接后接入电容C4的一端，电容C4的另一端接地，电感L1的一端和二极管D1的正极连接后接入升压转换器的SW脚，电感L1的另一端与电容C4的一端连接后接入所述主控MCU的电压输出端，二极管D2的负极依次连接到电阻R4的一端、连接到电容C1的一端和连接到电容C3的一端，电阻R4的另一端与电容C1的另一端连接后分别接入升压转换器的FB脚和电阻R6的一端，电阻R6的另一端接地，电容C3的一端接入2.4V电源、另一端接地，升压转换器的GND脚接地。

3.如权利要求1所述的保温管道泄漏检测装置，其特征在于，所述泄漏检测电路包括整流桥D1、U3、降压型开关稳压器U4和单片机U5；

所述主控MCU的电压输出端经整流桥D1形成电压输出端VB，电压输出端VB接入电阻R7的一端，电压输出端VB同时连接到PMOS管Q1的源极，电阻R7的另一端分别连接到U3的一端和连接到PMOS管Q1的栅极，U3的另一端接地；

在PMOS管Q1的栅极与源极电压大于开启电压时，PMOS管Q1导通并形成后端工作电压VZ，VZ连接到三极管Q7的发射极和R19的一端，R19的另一端连接三极管Q8的发射极和接三极管Q7的基极，三极管Q8的基极与三极管Q7的集电极连接后接电阻R20的一端，电阻R20的另一端接地，三极管Q8的集电极分别接入稳压管D5的负极和接入电容C8的正极，稳压管D5的正极和电容C8的负极均接地，稳压管D5的负极和电容C8的正极连接后形成电压输出端VIN；

降压型开关稳压器U4的EN脚经电阻R13与降压型开关稳压器U4的IN脚连接后接入电压输出端VIN，降压型开关稳压器U4的BST脚经电容C5与降压型开关稳压器U4的SW脚连接，降压型开关稳压器U4的SW脚分别接电感L2的一端和稳压管D4的负极，稳压管D4的正极接地，电感L2的另一端依次经电容C6接地、经电容C7接地以及经电阻R5的一端、R6的一端后接地，R5的另一端接入电压源VCC，降压型开关稳压器U4的FB脚接入电阻R5和电阻R6之间，降压型开关稳压器U4的GND脚接地；

电压源VCC接入单片机U5的VDD脚，单片机U5的PA0脚经电阻R16接入三极管Q6的基极，三极管Q6的集电极与电阻R18的一端连接，电阻R18的另一端接地，电阻R18的一端经电阻R17后接入三极管Q5的基极，三极管Q6的发射极接电源VCC，三极管Q5的发射极接地，三极管Q5的集电极经电阻R10与电阻R9的一端连接，电阻R9的另一端与R19的一端连接，R9的另一端与三极管Q2的发射极连接，R9的一端与三极管Q2的基极连接，三极管Q2的集电极与三极管Q3的发射极连接，三极管Q3的发射极分别接电压原V20和电阻R8的一端，电阻R8的另一端分别接入三极管Q3的基极和三极管Q4的发射极，三极管Q4的基极与三极管Q3的集电极连接后接电阻R11的一端，电阻R11的另一端接地，三极管Q4的集电极经电阻R14接地。

4.如权利要求1所述的保温管道泄漏检测装置，其特征在于，所述解调电路包括检测电阻R2、比较器U2A和二极管D3；

所述升压电路的输出端经检测电阻R2形成电压VBUS后接入比较器U2A的正极输入端，所述升压电路的输出端经检测电阻R2后接入二极管D3的正极，二极管D3的负极依次经电阻R3接入电阻R5的一端、接入电容C2的正极，电阻R5的另一端和电容C2的负极均接地；

容C2的正极接入比较器U2A的负极输入端，比较器U2A的输出端经上拉电阻R1接入所述主控MCU，比较器U2A的输出端还经RX_TTL连接到主控MCU的串口接口管脚。

5.如权利要求1所述的保温管道泄漏检测装置，其特征在于，所述主控MCU型号为STM32L053R8T6。

6.如权利要求1所述的保温管道泄漏检测装置，其特征在于，所述泄漏检测电路在管道保温层中间隔布置。