[发明专利]一种石墨烯促进结晶的可转移钙钛矿氧化物压电织构薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810849978.3 申请日: 2018-07-28
公开(公告)号: CN109023261B 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 牛刚;代立言;赵金燕;任巍;王玲艳;白炜;史鹏 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C23C14/28 分类号: C23C14/28;C23C14/08
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 石墨 促进 结晶 转移 钙钛矿 氧化物 压电 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种石墨烯促进结晶的可转移钙钛矿氧化物压电织构薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1:选择石墨烯作为氧化物与衬底的中间层材料;

步骤2:使用脉冲激光沉积法生长薄膜;其中,生长温度为500℃~800℃;氧气分压为10Pa~20Pa;激光能量为1.5J/cm2~3J/cm2,频率为1Hz~10Hz;具体方法如下:

2-1)将准备生长的钙钛矿氧化物靶材和石墨烯衬底装在真空腔内,使用将真空腔内气压抽至5×10-4Pa以下,以去除吸附在石墨烯表面的污染杂质;

2-2)将石墨烯衬底加热至500℃~800℃向真空腔内通入氧气,控制气压在10Pa~20Pa之间;

2-3)使用脉冲激光器,控制激光能量密度在1.5J/cm2~3J/cm2之间,使用透镜将激光汇聚在钛酸钡陶瓷靶材表面,控制激光频率在1Hz~10Hz;

2-4)调整衬底和靶材间的距离在3cm~10cm之间,保证由脉冲激光打出的等离子体羽辉尖部能够在衬底表面;

2-5)保持上述状态,使薄膜生长,在薄膜生长到预设厚度后,关闭激光器,向真空腔内通入氧气,控制气压在1×104Pa以上;

2-6)将衬底温度降至室温,向真空腔内通入空气,打开腔体,得到薄膜/石墨烯衬底样品。

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