[发明专利]提高光电传感阵列测量折射率过程中数据处理精度的方法有效
申请号: | 201810850002.8 | 申请日: | 2018-07-28 |
公开(公告)号: | CN109142272B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 郭文平;罗运;夏珉;杨克成;李微 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01N21/41 | 分类号: | G01N21/41 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 王世芳;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 光电 传感 阵列 测量 折射率 过程 数据处理 精度 方法 | ||
1.一种提高光电传感阵列测量折射率过程中数据处理精度的方法,其特征在于,其包括如下步骤:
S1:光电传感阵列器件探测得到光强数据,依据光强数据计算获取反射率曲线,将相邻像素位置反射率值微分得到微分曲线,依据所述微分曲线,计算获取微分峰值,所述微分峰值对应的像素即为需要提取的临界角对应的像素,
S2:取临界角对应的像素位置前后m个像素,一共为(2m+1)个像素,采集该(2m+1)个像素对应的反射率,以作为拟合数据,其中像素对应的反射率获取方法为:将同一像素标号位置的探测光场光强与空气背景光场光强数据相比,获得反射率随像素标号位置的反射率曲线,根据该曲线获得临界角对应的像素位置前后m个像素对应的反射率,
S3:采用高斯拟合公式,对步骤S2获取的拟合数据进行高斯拟合,得到高斯拟合函数,采用的高斯拟合公式如下:
其中,n是自然数,为高斯拟合峰值数量,Ai、Bi、Ci为拟合需要确定的待定系数,其中Bi对应每个高斯拟合的峰值,
S4:对步骤S3获得的高斯拟合函数求导,导函数为0即为高斯拟合峰值处,该峰值处对应为亚像素位置处。
2.如权利要求1所述的一种提高光电传感阵列测量折射率过程中数据处理精度的方法,其特征在于,步骤S2中,m≥2。
3.如权利要求1所述的一种提高光电传感阵列测量折射率过程中数据处理精度的方法,其特征在于,步骤S2中,m的取值为8。
4.如权利要求2或3所述的一种提高光电传感阵列测量折射率过程中数据处理精度的方法,其特征在于,对步骤S3获取的拟合数据点,进行高斯曲线拟合,得到拟合数据点对应的高斯拟合函数。
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