[发明专利]一种耐高温结构吸波型陶瓷基复合材料的快速制备方法有效

专利信息
申请号: 201810851203.X 申请日: 2018-07-30
公开(公告)号: CN109020588B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 叶昉;殷小玮;莫然;成来飞;张立同 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B35/80 分类号: C04B35/80;C04B35/591;C04B35/573;C04B35/583;C04B35/622
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 耐高温 结构 吸波型 陶瓷 复合材料 快速 制备 方法
【说明书】:

发明涉及一种耐高温结构吸波型陶瓷基复合材料的快速制备方法,采用SI+RMI工艺制备SiC纤维增强硅基陶瓷基复合材料,即首先通过SI工艺在SiC纤维预制体中分别引入Si3N4粉体、BN粉体、SiC粉体、或C+Si3N4混合粉体,然后经RMI工艺将硅熔体渗透至复合材料内部,分别与上述粉体结合或反应生成Si3N4‑Si基体、Si‑B‑N基体、SiC‑Si基体、或Si‑C‑N基体,制备出满足结构吸波型陶瓷基复合材料要求的电磁阻抗匹配型基体(如Si3N4‑Si、Si‑B‑N等)或电磁吸波型基体(如SiC‑Si、Si‑C‑N等),实现复合材料的快速致密化,有效缩短复合材料制备周期、提高复合材料致密度和力学/吸波性能。

技术领域

本发明属于陶瓷基复合材料制备技术,涉及一种耐高温结构吸波型陶瓷基复合材料的快速制备方法。

背景技术

吸波材料是指有效吸收入射的电磁波,将电磁能转化为热能或者其他形式的能而消耗掉,或使电磁波干涉相消,从而显著降低目标回波强度的一类电磁功能材料。理想的吸波材料应具备厚度薄、质量轻、吸收频带宽、力学性能好等特点,同时为满足特殊情况使用要求,其还需具有耐高温、抗氧化等性能。有机吸波剂因受其使用温度限制,只能用于常温部位的隐身。磁损耗型吸波剂因温度高于其居里点后会失去磁性,使用温度也不宜过高。据此,高温吸波材料一般为介电损耗型陶瓷材料,连续纤维增韧陶瓷基复合材料(CFCC)具有高韧性、高比强、高比模、高温性能好等优点,进一步挖掘CFCC中纤维和基体的吸波性能,有望使其成为性能优异的耐高温结构吸波型陶瓷基复合材料。

碳化硅(SiC)纤维具有耐高温、抗氧化、高强度、高模量、电阻率可调等优点,是结构吸波型CFCC的优异增强体候选材料。氮化硼(BN)是CFCC的主要界面相材料,其具有较高的电阻率呈电磁波透过特性,可实现结构吸波型CFCC的电磁阻抗匹配。硅基陶瓷与SiC纤维模量和热膨胀匹配,是CFCC的主要基体材料,其具有良好的电磁阻抗匹配性能(如Si3N4、Si-B-N等)或电磁吸波性能(如SiC、Si-C-N等),可满足结构吸波型CFCC的力学和吸波要求。目前,制备硅基陶瓷基体的方法主要为化学气相渗透法(CVI)和聚合物浸渍裂解法(PIP)。Shi等人(Y.Shi,F.Luo,D.Ding,Y.Mu,W.Zhou,D.Zhu.Effects of thermal oxidation onmicrowave-absorbing and mechanical properties of SiCf/SiC composites with PyCinterphase[J].Transactions of Nonferrous Metals Society of China,2015,25(5):1484-1489)采用CVI法制备了SiC纤维增强SiC复合材料,通过氧化热处理,实现了对复合材料在X波段电磁性能的调控。Li等人(Q.Li,X.Yin,L.Zhang,L.Cheng.Effects of SiCfibers on microwave absorption and electromagnetic interference shieldingproperties of SiCf/SiCN composites[J].Ceramics International,2016,42:19237–19244)采用PIP法制备了SiC纤维增强Si-C-N复合材料,其在X波段具备良好的电磁吸波性能。然而上述CVI法和PIP法均需多炉次循环才能完成陶瓷基体的制备,实现复合材料近致密化(最终材料开气孔率约10%以上),这使复合材料制备周期较长,不仅大幅提高了复合材料的生产和制造成本,而且这种长时多炉次循环的制备过程也将对SiC纤维力学性能的保持非常不利。与上述工艺方法相比,浆料浸渗结合反应熔体渗透法(SI+RMI)具有制备周期短、制造成本低、所制材料几乎完全致密(最终材料开气孔率约5%以下)因而力学性能和抗氧化性能优异等特点。若通过对SI+RMI工艺中浸渗浆料的组成进行优选和设计,经后续硅熔体渗透反应生成Si3N4、Si-B-N、SiC或Si-C-N等硅基陶瓷基体,同时利用残留硅的半导体特性,进一步补强材料对电磁波的衰减耗散,则有望快速制备出不仅电磁性能满足要求、而且力学性能和环境性能更为优异的结构吸波型陶瓷基复合材料。然而目前这一工艺方法尚未被广泛应用于该类复合材料的制备,相关研究未见报道。

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