[发明专利]一种芯片关断电路及包含该电路的开关电源在审

专利信息
申请号: 201810851233.0 申请日: 2018-07-30
公开(公告)号: CN109039022A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 陈聪;王国云;冯刚 申请(专利权)人: 广州金升阳科技有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H03K17/284
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510663 广东省广州市广州*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 输入端口 关断电路 开关电源 输出端口 低电平 芯片 延时 功率变换电路 主功率开关管 输入高电平 下拉电路 电路 输出低电平 短路端口 开关电路 控制信号 快速关断 偏置电路 低输出 驱动端
【权利要求书】:

1.一种芯片关断电路,包括:第一输入端口、第二输入端口、输出端口、偏置电路、开关电路和下拉电路;

第一输入端口同时连接偏置电路的第一输入端和下拉电路的输入端,第二输入端口同时连接偏置电路的第二输入端和开关电路的输入端,偏置电路的输出端连接开关电路的控制端,开关电路的输出端和下拉电路的输出端相连后连接至输出端口,输出端口用于输出控制信号;

第一输入端口和第二输入端口均用于输入PWM信号,第一输入端口输入高电平延时第一时间后第二输入端口才输入高电平,第一输入端口翻转为低电平延时第二时间后第二输入短路端口才翻转为低电平;

开关电路用于控制第二输入端口和输出端口是否电连接,偏置电路用于抬高第一输入端口输入的电平电压,使得在第一输入端口和第二输入端口输入的均为高电平时开关电路能够工作;下拉电路用于在第一输入端口输入的为低电平时,拉低输出端口输出控制信号的电平;

芯片关断电路在一个工作周期内的工作状态为:

当第一输入端口的输入为高电平,第二输入端口的输入为低电平时,开关电路工作,偏置电路不工作,下拉电路不工作,输出端口输出低电平的控制信号;

当第一输入端口和第二输入端口均为高电平时,开关电路继续工作,偏置电路不工作,下拉电路不工作,输出端口输出为高电平的控制信号;

当第一输入端口的输入翻转为低电平,第二输入端口的输入继续为高电平时,开关电路停止工作,偏置电路工作,下拉电路工作,输出端口输出低电平的控制信号;

当第一输入端口的输入继续为低电平,第二输入端口的输入也翻转为低电平时,开关电路工作,偏置电路不工作,下拉电路不工作,输出端口输出低电平的控制信号。

2.根据权利要求1所述的芯片关断电路,其特征在于:偏置电路包括:第一电容和第一二极管,第一电容的一端为偏置电路第一输入端,第一电容的另一端与第一二极管的阴极相连形成偏置电路的输出端,第一二极管的阳极为偏置电路的第二输入端。

3.根据权利要求1所述的芯片关断电路,其特征在于:偏置电路包括:第一电容、第二电容和第一二极管,第一电容的一端为偏置电路第一输入端,第一电容的另一端与第二电容的一端相连形成偏置电路的输出端,第二电容的另一端与第一二极管的阴极相连,第一二极管的阳极为偏置电路的第二输入端。

4.根据权利要求1所述的芯片关断电路,其特征在于:开关电路包括:第一N沟道MOS管、第一电阻和第二电阻,第一N沟道MOS管的源极为开关电路的输入端,第一N沟道MOS管的栅极为开关电路的控制端,第一N沟道MOS管的栅极还经第一电阻后与第一N沟道MOS管的源极相连,第一N沟道MOS管的漏极经第二电阻后形成开关电路的输出端。

5.根据权利要求1所述的芯片关断电路,其特征在于:下拉电路包括:第二二极管,第二二极管的阴极为下拉电路的输入端,第二二极管阳极为下拉电路的输出端。

6.根据权利要求1所述的芯片关断电路,其特征在于:下拉电路包括:第一PNP三极管,第一PNP三极管的基极为下拉电路的输入端,第一PNP三极管的发射极为下拉电路的输出端,第一PNP三极管的集电极接地。

7.一种包括权利要求1至6任一项芯片关断电路的开关电源,其特征在于:开关电源包括PWM芯片、隔离驱动芯片和功率变换电路,第一输入端口连接PWM芯片的输出端口,第二输入端口连接隔离驱动芯片的输出端口,输出端口连接功率变换电路中主功率开关管的驱动端,第一时间为隔离驱动芯片导通延迟时间,第二时间为隔离驱动芯片关断延迟时间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州金升阳科技有限公司,未经广州金升阳科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810851233.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top