[发明专利]用来改进电磁兼容性能的电流和电压调节方法

权利要求书

1.一种用来改进IC装置的电磁兼容性能操作的电流调节器电路，其特征在于，所述电流调节器电路(120、200)包括：

用于接收经调节的电压信号的输入；

用于以所需电压电平提供输出电压的输出，所述输出电压展现来自负载(130)的噪声；

第一场效应晶体管FET(122、220)，包括耦合到所述输入的第一源电极、耦合到所述输出的第一漏电极，和第一栅电极；

耦合到所述输出的电压箝位电路(123、126、127、210)，所述电压箝位电路(123、126、127、210)被配置成基于所述噪声传导变化的电流；

用于提供恒定电流的恒定电流源(129)；以及

第二FET(128、222)，包括耦合到所述输出的第二源电极、耦合到所述恒定电流源(129)和所述第一栅电极的第二漏电极，和耦合到所述电压箝位电路(123、126、127、210)的第二栅电极以镜像化所述第二FET(128、222)中的所述变化的电流。

2.根据权利要求1所述的电流调节器电路，其特征在于，进一步包括：

电容器(123、230)，包括耦合到所述输入的第一电极和耦合到所述第一栅电极的第二电极。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的电流调节器电路，其特征在于，所述恒定电流源(129)进一步包括：

电阻器(228)，包括耦合到所述输入的第一电极，和第二电极；

第三FET(226)，包括连接到所述电阻器(228)的所述第二电极的第三漏电极、连接到接地平面的第三源电极和连接到所述第三漏电极的第三栅电极；以及

第四FET(224)，包括连接到所述第二漏电极的第四漏电极、连接到所述接地平面的第四源电极和连接到所述第三栅电极、所述电阻器(228)和所述第三FET(226)以提供在所述第四FET(224)中被镜像化的恒定电流电平的第四栅电极。

4.根据在前的任一项权利要求所述的电流调节器电路，其特征在于，所述电压箝位电路(124、126、127、210)被配置成在所述噪声驱动所述经调节的电压信号高于所述所需电压电平时提供增大的电流。

5.根据权利要求4所述的电流调节器电路，其特征在于，所述第二FET(128、222)中的所述镜像电流在所述噪声驱动所述经调节的电压信号高于所述所需电压电平时增大，和/或所述第一FET(122、220)中的电流在所述噪声驱动所述经调节的电压信号高于所述所需电压电平时减小。

6.根据在前的任一项权利要求所述的电流调节器电路，其特征在于，所述电压箝位电路(124、126、127、210)被配置成在所述噪声驱动所述经调节的电压信号低于所述所需电压电平时提供减小的电流。

7.根据在前的任一项权利要求所述的电流调节器电路，其特征在于，所述第二FET(128、222)中的所述镜像电流在所述噪声驱动所述经调节的电压信号低于所述所需电压电平时减小。

8.根据权利要求7所述的电流调节器电路，其特征在于，所述第一FET(122、220)中的电流在所述噪声驱动所述经调节的电压信号低于所述所需电压电平时增大。

9.一种用于提供电流和电压调节以改进IC装置的电磁兼容性能操作的方法，其特征在于，所述方法包括：

在电流调节器电路(120、200)的输出处提供电压信号，所述电压信号展现来自负载(130)的噪声；

将所述电压信号的电压电平与所需电压电平进行比较(304)，以确定第一噪声电平；

基于所述电压信号的所述电压电平与所述所需电压电平的所述比较，调制(310、312)所述输出上的调节电流；以及

基于所述调节电流，在所述输出上提供电流经调节的电压信号，其中所述电流经调节的电压信号使所述电流调节器的输入与第一噪声电平隔离。

10.一种集成电路装置，其特征在于，包括：

用于提供经调节的电压信号的电压调节器(110)；

用于接收电流经调节的电压信号的负载(130)，所述电流经调节的电压信号是以所需电压电平提供且包括第一噪声电平；以及

电流调节器(120、200)，包括输入以接收来自所述电压调节器的所述经调节的电压信号且提供所述电流经调节的电压信号到所述负载(130)，所述电流调节器被配置成执行根据权利要求9所述的方法。