[发明专利]一种高温下提高电容的电介质材料制备方法在审
| 申请号： | 201810851462.2 | 申请日： | 2018-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN108866488A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 黄传威;邱培琪;金菲 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙) 33262 | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 薄膜 电介质材料 激光能量 晶格参数 制备 电容器 材料制备技术 脉冲激光沉积 电容器元件 电容减小 高温使用 锆钛酸铅 晶格 优化 | ||
【权利要求书】：
1.一种高温下提高电容的电介质材料的制备方法，其特征在于，通过脉冲激光沉积技术在C轴单晶衬底上生长锆钛酸铅Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜，在动态氧气氛围中沉积后冷却到室温得到薄膜；通过选取特定激光能量密度即可得到特定晶格大小的薄膜，通过优化薄膜的S和d值来提高电容值。
2.根据权利要求1所述高温下提高电容的电介质材料的制备方法，其特征在于：所述脉冲激光沉积技术的激光光源为KrF准分子激光，激光波长248nm，激光脉宽10ns，激光能量密度为1～8J/cm2，激光频率2～8Hz。
3.根据权利要求1所述高温下提高电容的电介质材料的制备方法，其特征在于：所述镀膜腔内的真空度为5×10-4～1×10-4Pa，生长温度560～620℃，动态氧压10～30Pa。
4.根据权利要求1所述高温下提高电容的电介质材料的制备方法，其特征在于：所述C轴单晶衬底为SrTiO3衬底。
5.根据权利要求1所述高温下提高电容的电介质材料的制备方法，其特征在于：所述在某个温度范围内薄膜电容器的电容量比室温电容器的电容量提高0.0％～6.28％。
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