[发明专利]用于GEM探测器放大单元的阻性基材、制备方法及支架

权利要求书

1.一种用于GEM探测器放大单元的阻性基材，包括：

Apical基底层；以及

DLC薄膜，分别形成于所述Apical基底层的正反表面上，用于探测器放大单元的阻性电极，以及保护所述Apical基底层；

其中，所述Apical基底层正反表面上的DLC薄膜在同一条件下溅射得到。

2.根据权利要求1所述的用于GEM探测器放大单元的阻性基材，所述DLC薄膜的面电阻值介于20MΩ/□至500MΩ/□之间。

3.根据权利要求1所述的用于GEM探测器放大单元的阻性基材，其中：

所述Apical基底层的厚度介于45μm至55μm之间；

所述DLC薄膜的厚度介于0.8μm至1.2μm之间。

4.一种用于GEM探测器放大单元的阻性基材的制备方法，利用磁控溅射设备实现，包括：

步骤A：对Apical基底层进行固定；

步骤B：对Apical基底层表面进行等离子体轰击刻蚀；

步骤C：在Apical基底层的正反表面上同时溅射沉积得到DLC薄膜。

5.根据权利要求4所述的用于GEM探测器放大单元的阻性基材的制备方法，所述步骤C中：

通过调节溅射沉积的时间调节DLC薄膜的厚度；

通过掺入C4H10气体，并控制C4H10的流量，调节DLC薄膜的面电阻值。

6.根据权利要求4所述的用于GEM探测器放大单元的阻性基材的制备方法，所述步骤A中，所述Apical基底层的高度位于磁控溅射设备中弱磁场高纯靶材的中部，靶材与Apical基底层间距介于12cm至18cm之间。

7.根据权利要求4所述的用于GEM探测器放大单元的阻性基材的制备方法，所述步骤B和所述步骤C在真空环境下进行。

8.根据权利要求4所述的用于GEM探测器放大单元的阻性基材的制备方法，还包括：

步骤1：对Apical基底层进行清洁与烘烤；以及

步骤2：对磁控溅射设备的高纯石墨靶材表面进行溅射清洗。

9.根据权利要求4所述的用于GEM探测器放大单元的阻性基材的制备方法，还包括步骤D：得到DLC薄膜后，分别测量所述DLC薄膜的厚度与面电阻值。