[发明专利]一种基于CdTe/ZnO纳米异质结结构的NO2气敏传感器的制备方法

权利要求书

1.一种基于CdTe/ZnO纳米异质结结构的NO₂气敏传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)对单晶硅基底进行清洗预处理；

(2)在步骤(1)预处理后的单晶硅基底上利用射频磁控溅射法生长氧化锌晶种层；

(3)利用水热法在步骤(2)所得晶种层上生长氧化锌纳米线阵列；

(4)分别配置含Cd离子和Te离子的前驱体溶液；

(5)将步骤(3)所得氧化锌纳米线阵列分别置于步骤(4)配置的前驱体溶液中浸泡通过连续离子层吸附反应法得到CdTe/ZnO纳米异质结结构；

(6)在步骤(5)所得CdTe/ZnO纳米异质结结构表面涂覆Ag薄膜电极，牵引导线制备成NO₂气敏传感器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述预处理包括将单晶硅基底置于丙酮、乙醇和去离子水中进行超声清洗15min。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中控制工作气体中氩气与氧气的流量比为3：1。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中所述水热制备氧化锌纳米线阵列，以Zn(NO₃)₂·6H₂O和HTMA为原料配置成等浓度的反应溶液，在可控温磁力搅拌器中进行水热生长法反应，温度为80～100℃，水热生长时间为3～8h。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(4)中是将Cd(CH₃COO)₂·2H₂O和Na₂TeO₃分别作为Cd离子源和Te离子源，分别配成等浓度的反应溶液，并在Na₂TeO₃溶液中加入水合肼和氨水将溶液pH值调整为7～11。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(5)中所述浸泡的时间均为1～60s,用去离子水冲洗以实现CdTe纳米颗粒的均匀沉积。