[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201810855743.5 | 申请日: | 2018-07-31 |
公开(公告)号: | CN109285896B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 张俊兵;王传红;刘淑华 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波;刘艳丽 |
地址: | 225131 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池,包括n型硅基体(1),其特征是:在所述n型硅基体(1)表面设有轻掺杂层(2),在所述轻掺杂层(2)表面设有钝化介质层(3),在所述钝化介质层(3)表面设有多晶硅薄膜(4),在所述多晶硅薄膜(4)上设有金属接触电极(5),所述轻掺杂层(2)中的掺杂元素为磷,且所述多晶硅薄膜(4)为掺杂多晶硅薄膜,所述轻掺杂层(2)中的掺杂元素与所述多晶硅薄膜(4)中的掺杂元素相同;所述轻掺杂层(2)中的掺杂元素的浓度为1.0E17atoms/cm3~2.0E19atoms/cm3,掺杂的深度为0.1~2μm。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征是:所述轻掺杂层(2)具有均匀的掺杂浓度。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征是:所述钝化介质层(3)为氧化硅、氧化铝、氧化钛和氮氧化硅中一种单层膜或几种的叠层膜,所述钝化介质层(3)的厚度为0.5nm~2.5nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征是:所述掺杂多晶硅薄膜为磷掺杂多晶硅薄膜,且所述掺杂多晶硅薄膜的掺杂浓度为1.0E20atoms/cm3~2.0E21atoms/cm3,所述掺杂多晶硅薄膜的厚度为5nm~500nm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征是:在所述多晶硅薄膜(4)上还设有表面钝化介质层(6),且所述金属接触电极(5)设于所述表面钝化介质层(6)上。
6.权利要求5所述的太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
(1)选取n型硅片,清洗,在清洗后对n型硅基体进行离子注入,然后退火激活注入原子实现掺杂;
(2)去除表面的氧化层后,在硅片的表面上制备钝化介质层;
(3)在钝化介质层的表面上沉积多晶硅薄膜;
(4)在多晶硅薄膜表面进行掺杂及退火,形成掺杂多晶硅薄膜;
(5)去除退火后在掺杂多晶硅薄膜表面生长的氧化层;
(6)在掺杂多晶硅薄膜表面沉积表面钝化介质层;
(7)在表面钝化介质层上设置金属接触电极。
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