[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810855743.5 申请日: 2018-07-31
公开(公告)号: CN109285896B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 张俊兵;王传红;刘淑华 申请(专利权)人: 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 李海波;刘艳丽
地址: 225131 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,包括n型硅基体(1),其特征是:在所述n型硅基体(1)表面设有轻掺杂层(2),在所述轻掺杂层(2)表面设有钝化介质层(3),在所述钝化介质层(3)表面设有多晶硅薄膜(4),在所述多晶硅薄膜(4)上设有金属接触电极(5),所述轻掺杂层(2)中的掺杂元素为磷,且所述多晶硅薄膜(4)为掺杂多晶硅薄膜,所述轻掺杂层(2)中的掺杂元素与所述多晶硅薄膜(4)中的掺杂元素相同;所述轻掺杂层(2)中的掺杂元素的浓度为1.0E17atoms/cm3~2.0E19atoms/cm3,掺杂的深度为0.1~2μm。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征是:所述轻掺杂层(2)具有均匀的掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征是:所述钝化介质层(3)为氧化硅、氧化铝、氧化钛和氮氧化硅中一种单层膜或几种的叠层膜,所述钝化介质层(3)的厚度为0.5nm~2.5nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征是:所述掺杂多晶硅薄膜为磷掺杂多晶硅薄膜,且所述掺杂多晶硅薄膜的掺杂浓度为1.0E20atoms/cm3~2.0E21atoms/cm3,所述掺杂多晶硅薄膜的厚度为5nm~500nm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征是:在所述多晶硅薄膜(4)上还设有表面钝化介质层(6),且所述金属接触电极(5)设于所述表面钝化介质层(6)上。

6.权利要求5所述的太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:

(1)选取n型硅片,清洗,在清洗后对n型硅基体进行离子注入,然后退火激活注入原子实现掺杂;

(2)去除表面的氧化层后,在硅片的表面上制备钝化介质层;

(3)在钝化介质层的表面上沉积多晶硅薄膜;

(4)在多晶硅薄膜表面进行掺杂及退火,形成掺杂多晶硅薄膜;

(5)去除退火后在掺杂多晶硅薄膜表面生长的氧化层;

(6)在掺杂多晶硅薄膜表面沉积表面钝化介质层;

(7)在表面钝化介质层上设置金属接触电极。

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