[发明专利]一种MWT太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种MWT太阳能电池，包括n型硅基体(1)，在所述n型硅基体(1)中设有将正面电极引至背面的通孔(2)，在所述n型硅基体(1)背面设有介质膜(3)，其特征是：在所述介质膜(3)上设有选择性掺杂多晶硅薄膜(4)，所述选择性掺杂多晶硅薄膜(4)包括非掺杂多晶硅薄膜(41)和掺杂多晶硅薄膜(42)，所述非掺杂多晶硅薄膜(41)包围所述通孔(2)，剩余区域则为掺杂多晶硅薄膜(42)。

2.根据权利要求1所述的MWT太阳能电池，其特征是：所述非掺杂多晶硅薄膜(41)包围所述通孔(2)且横截面积略大于所述通孔(2)的横截面积。

3.根据权利要求1或2所述的MWT太阳能电池，其特征是：所述的掺杂多晶硅薄膜(42)为掺磷多晶硅薄膜，其掺杂浓度为1.0E¹⁹atoms/cm³～2.0E²¹atoms/cm³，厚度为5nm～500nm。

4.根据权利要求1或2所述的MWT太阳能电池，其特征是：所述n型硅基体(1)的正面为制绒面，所述制绒面上设有掺杂硼的p+发射结(5)，其方块电阻为40～300ohm/sq。

5.根据权利要求4所述的MWT太阳能电池，其特征是：在所述p+发射结(5)上设有正面钝化膜(6)和正面钝化减反膜(7)，在所述正面钝化减反膜(7)上设有正面接触电极(8)；其中所述正面钝化膜(6)为SiOx、TiOx、Al₂O₃、SiO_1-xN_x中的一种单层膜或几种的叠层膜，其厚度为1～20nm，所述正面钝化减反膜(7)为SiNx、SiCx、SiOx、TiOx和MgFx中的一种单层膜或几种的叠层膜，其厚度为65～100nm。

6.根据权利要求1或2所述的MWT太阳能电池，其特征是：所述n型硅基体(1)的背面为制绒面、蚀刻面或抛光面。

7.根据权利要求1或2所述的MWT太阳能电池，其特征是：所述介质膜(3)为氧化硅、氧化铝、氧化钛和氮氧化硅中的一种单层膜或几种的叠层膜，其厚度为0.5nm～2.5nm。

8.根据权利要求1或2所述的MWT太阳能电池，其特征是：在所述选择性掺杂多晶硅薄膜(4)上还设有背面钝化减反膜(9)，所述背面钝化减反膜(9)为SiNx、SiCx、SiOx、Al₂O₃、TiOx和MgFx中的一种单层膜或几种的叠层膜，其厚度为30～200nm。

9.根据权利要求8所述的MWT太阳能电池，其特征是：在所述背面钝化减反膜(9)上设有连接正面接触电极(8)的正面电极(10)和背面接触电极(11)，其中所述背面接触电极(11)为栅线电极或全背面电极，所述栅线电极和全背面电极均不包括正面电极。

10.权利要求1所述的MWT太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：

(1)选取n型硅基体(1)；

(2)在n型硅基体(1)中形成通孔(2)；

(3)在n型硅基体背面制备介质膜(3)；

(4)在介质膜(3)表面设置多晶硅薄膜；

(5)在多晶硅薄膜表面进行选择性掺杂，退火，形成非掺杂多晶硅薄膜(41)和掺杂多晶硅薄膜(42)。