[发明专利]垂直存储器件

权利要求书

1.一种垂直存储器件，包括：

包括单元区域和外围电路区域的衬底；

在所述衬底的所述单元区域上彼此间隔开的多个第一栅电极，所述多个第一栅电极在基本上垂直于所述衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开；

沟道，其在所述衬底的所述单元区域上沿所述第一方向延伸穿过所述多个第一栅电极的至少一部分；

在所述衬底的所述单元区域上的多个第一布线，所述多个第一布线设置在多个第一层级上，所述多个第一层级在所述第一方向上比其上分别形成所述多个第一栅电极的多个栅电极层级更高；以及

在所述衬底的所述外围电路区域上的多个第二布线，所述多个第二布线设置在所述多个第一层级处和在比所述多个栅电极层级更高的第二层级处。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述第二层级在所述多个栅电极层级中的最上面的一个与所述多个第一层级中的最下面的一个之间。

3.根据权利要求1所述的垂直存储器件，还包括：

在所述衬底的所述外围电路区域上的有源区域；

在所述有源区域上的第二栅电极；以及

第二接触插塞，其接触所述衬底的所述有源区域或者所述第二栅电极，并且在所述第一方向上延伸，

其中所述多个第二布线中的第三布线设置在所述第二层级处并且接触所述第二接触插塞的上表面。

4.根据权利要求3所述的垂直存储器件，其中所述第二接触插塞包括多个第二接触插塞，以及

其中所述第三布线共同接触所述多个第二接触插塞中的至少两个的上表面。

5.根据权利要求3所述的垂直存储器件，其中所述第三布线包括第一部分和第二部分，所述第一部分在基本上平行于所述衬底的所述上表面的第二方向上延伸，并且所述第二部分在基本上平行于所述衬底的所述上表面且基本上垂直于所述第二方向的第三方向上延伸。

6.根据权利要求3所述的垂直存储器件，还包括多个第一接触插塞，所述多个第一接触插塞分别接触所述多个第一栅电极，所述多个第一接触插塞中的每个在所述第一方向上延伸，并且所述多个第一接触插塞中的每个的第一接触插塞上表面与所述第二接触插塞的第二接触插塞上表面基本上共面。

7.根据权利要求6所述的垂直存储器件，还包括第一通路，其接触所述第三布线的第三布线上表面且在所述第一方向上延伸，

其中所述多个第二布线中的第四布线接触所述第一通路的第一上部。

8.根据权利要求7所述的垂直存储器件，还包括多个第二通路，其分别接触所述多个第一接触插塞的相应的第一接触插塞上表面，所述多个第二通路中的每个在所述第一方向上延伸，

其中所述多个第一布线中的多个第五布线接触所述多个第二通路的第二上部，并且设置在与所述第四布线的第四布线层级基本相同的第五布线层级处。

9.根据权利要求8所述的垂直存储器件，还包括第三通路，其在所述第一方向上延伸以电连接到所述沟道，所述第三通路的第三通路上表面与第一通路上表面和所述第二通路上表面基本上共面，

其中所述多个第一布线中的第六布线接触所述第三通路的上部，并且设置在与所述第四布线层级和所述第五布线层级基本相同的第六布线层级处。

10.根据权利要求9所述的垂直存储器件，还包括第三接触插塞，其接触所述第六布线的第六布线上表面且在所述第一方向上延伸，

其中所述多个第一布线中的第七布线接触所述第三接触插塞的第三接触插塞上表面，并且在基本上平行于所述衬底的所述上表面的第三方向上延伸，所述第七布线用作位线。

11.根据权利要求8所述的垂直存储器件，还包括多个第四接触插塞，其分别接触所述多个第二通路的相应的第二通路上表面，并且在所述第一方向上延伸，

其中所述多个第一布线中的多个第八布线分别接触所述多个第四接触插塞的第四接触插塞上表面。