[发明专利]一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构有效
| 申请号： | 201810860996.1 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109273566B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 贾志刚;卢太平;董海亮;梁建;马淑芳;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳;赵江艳 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 含有 应变 调制 结构 多层 ingan 量子 | ||
1.一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构，包括底垒层、顶垒层、位于底垒层和顶垒层之间的多个InGaN量子点层和设置在各个InGaN量子点层之间的中间垒层，其特征在于，还包括紧邻所述InGaN量子点层并设置在其上方的第一应变减少层，所述第一应变减少层为In组分低于10%的InGaN层，所述中间垒层包括应变补偿层以及紧邻所述应变补偿层并分别位于其上方和下方的GaN上垒层和GaN下垒层，所述应变补偿层为晶格常数小于GaN的垒层。
2.根据权利要求1所述的一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构，其特征在于，所述InGaN量子点层为S-K模式生长的InGaN量子点。
3.根据权利要求1所述的一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构，其特征在于，所述InGaN量子点层为V-W模式生长的InGaN量子点。
4.根据权利要求1所述的一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构，其特征在于，应变补偿层的材料为AlN、AlGaN及AlGaInN三种材料中的任意一种，或者任意几种的组合。
5.根据权利要求1所述的一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构，其特征在于，所述顶垒层和底垒层为GaN垒层。
6.根据权利要求1所述的一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构，其特征在于，所述顶垒层和底垒层包括GaN垒层和设置在GaN垒层中间的应变补偿层。
7.根据权利要求1所述的一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构，其特征在于，其发光波长为蓝绿光到红光波段范围内的任一波长。
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