[发明专利]封装方法和封装结构

说明书

本发明公开了一种封装方法，在封装盖板位于第一密封圈包围的范围内放置气体释放剂，利用加热或激光烧蚀处理气体释放剂，使气体释放剂分解产生或释放出保护性气体，降低密封空间内外的压强差，减弱外部水氧的渗入趋势，同时增强器件的散热能力，保护密封空间内器件的稳定性。本发明还公开了一种在密封空间内设置气体释放剂的封装结构。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，涉及一种封装方法和封装结构。

背景技术

封接玻璃主要应用于半导体封装领域，特别是在OLED显示、OLED照明、太阳能和钙钛矿等半导体光电器件的封装工艺中。在封装制作工艺中，使用封装胶或玻璃料封装时需要在真空环境下进行，以避免在压合时气体受压缩出现冲胶现象，同时避免水氧气体被锁入密封空间内，但是会密封空间内形成一个负压状态，造成密封结构内外出现压强差，加速外部水氧浸入。

发明内容：

本发明提供一种封装方法，在真空环境下封接所形成的密封空间内设置固态的气体释放剂，利用局部加热或激光照射的方式，在密封空间内释放气体，降低密封空间内外的压强差，封装步骤包括：

S1提供一待封装的基板，所述基板包括功能区和位于所述功能区外围的封装区；

S2提供一封装盖板，在所述封装盖板上与所述基板的封装区的预设位置涂覆封装材料形成第一密封圈；

S3在封装盖板位于所述第一密封圈包围的范围内预设位置处放置气体释放剂；

S4提供一真空环境，将所述基板与所述封装盖板对准并相对贴合，利用封接设备对第一密封圈进行封接固化，使基板、封装盖板和第一密封圈形成一密封空间；

S5利用加热或激光烧蚀处理气体释放剂，使气体释放剂分解产生或释放出保护性气体。

进一步的，所述气体释放剂为固态，在加热或激光照射时可分解或释放出氮气、氢气、二氧化碳或氮氧化物。

进一步的，所述密封空间内至少设置两份气体释放剂。

进一步的，所述至少两份气体释放剂可释放出的气体分子的摩尔数不同。可选的，密封空间内的气体压强常温状态下为大气压强的三分之一至一点三倍，根据理想气体状态方程PV＝nRT，其中P是密封空间内的气体压强，V是密封空间的容积，n是密封空间内气体分子的摩尔数，R是气体常数，T是气体温度，所述密封空间内的容积和气体分子数量相对稳定，因此密封空间内气体压强与温度成正比，根据半导体或OLED器件的工作温度范围，选择合适的气体释放量。

密封空间内气体的存在还会利用热对流的方式传递热烈，提高器件的散热性能，提高器件的使用寿命。

进一步的，所述第一密封圈内还包含气体吸附剂，可吸附器件及封装层中释放的有机气体，同时可吸附和缓冲调节密封空间内的气体压强。

进一步的，在所述密封空间内设置有容置凹槽结构，所述容置凹槽结构可用于气体释放剂限位，防止气体释放剂移动，可使激光束快速定位气体释放剂的位置。

进一步的，所述密封空间封装时使用的封装材料内包含碳酸盐、硝酸盐、叠氮酸盐或其组合物。

进一步的，所述气体释放剂设置于所述第一密封圈内表面。

进一步的，在所述第一密封圈内设置有压强传感器。

进一步的，在所述第一密封圈内设置有水氧指示剂。

所述气体释放剂可以利用激光照射或局部加热方式分批次的分解并释放气体，以降低密封空间内气体压强相比于大气压强的压强差，从而降低空气中水氧渗入速率，待密封空间内的压强降低到阈值之下，可利用激光照射或局部加热方式分解所述第二份气体释放剂。所述压强传感器或水氧指示剂可辅助指示每次分解气体释放剂的操作时机。