[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成栅极层，所述栅极层包括位于所述栅介质层上的第一半导体层和位于所述第一半导体层上的第二半导体层；

去除所述第一半导体层的部分侧壁，得到剩余第一半导体层，所述剩余第一半导体层、所述栅介质层和所述第二半导体层围成凹槽；

在所述凹槽内形成内部侧墙层；

在所述栅极层两侧的基底中形成源漏掺杂区；

形成覆盖所述栅极层的侧壁和所述源漏掺杂区的层间介质层；

去除所述剩余第一半导体层和所述第二半导体层，形成开口；

去除所述开口底部的所述栅介质层和所述内部侧墙层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述栅介质层上形成所述栅极层的步骤包括：

在所述栅介质层上形成第一半导体材料层；

在所述第一半导体材料层上形成第二半导体材料层；

在所述第二半导体材料层上形成栅极掩膜层；

以所述栅极掩膜层为掩膜刻蚀所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层，形成所述栅极层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述凹槽内形成内部侧墙层的步骤包括：

在所述栅极层的侧壁和顶部、所述凹槽内和所述栅介质层上形成内部侧墙材料层；

去除位于所述栅极层的侧壁和顶部、所述栅介质层上的所述内部侧墙材料层，形成所述内部侧墙层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅极层的侧壁和顶部、所述凹槽和所述栅介质层上形成内部侧墙材料层的步骤中，所述形成工艺为原子层沉积工艺。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于所述栅极层的侧壁和顶部、所述栅介质层上的所述内部侧墙材料层的步骤中，所述去除工艺为干法刻蚀工艺。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述凹槽内形成内部侧墙层的步骤后还包括：

去除所述栅极层和所述内部侧墙层两侧的所述栅介质层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上多个分立的鳍部，在所述基底上形成栅介质层的步骤中，所述栅介质层覆盖所述鳍部的顶部和侧壁，以及所述鳍部露出的所述衬底；

在所述栅介质层上形成栅极层的步骤中，所述栅极层横跨多个所述鳍部，且覆盖部分所述栅介质层。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述基底包括衬底，所述衬底具有平面型表面；

在所述基底上形成栅介质层的步骤中，所述栅介质层覆盖所述平面型表面。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述凹槽内形成内部侧墙层之后，在所述栅极层两侧的基底中形成源漏掺杂区之前，在所述栅极层侧壁上形成栅极侧墙。

10.如权利要求1-9任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述内部侧墙层的材料为氮化硅或氧化硅。

11.如权利要求1-9任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层的厚度范围为3纳米-20纳米。

12.如权利要求1-9任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽在垂直于所述栅极层侧壁方向上的长度范围为1纳米-8纳米。