[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板

说明书

一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板。该薄膜晶体管包括衬底以及位于所述衬底上的有源层、源电极、漏电极、栅电极和遮光部，源电极和漏电极分别与所述有源层电连接，栅电极和遮光部位于所述有源层的远离所述衬底的一侧，在所述源电极至所述漏电极的方向上，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述遮光部位于所述栅电极和所述源电极之间和/或所述漏电极之间。遮光部可以对射向有源层的光线进行遮挡，提高薄膜晶体管的电学性能。

技术领域

本公开至少一个实施例涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板。

背景技术

薄膜晶体管的有源层受到光照后会产生大量的光生载流子，由此可能产生漏电流，对薄膜晶体管的电学性能以及包括该薄膜晶体管的电子产品的性能产生不良影响。例如，在薄膜晶体管应用于电子显示产品作为像素单元的开关元件的情形，薄膜晶体管的有源层在受到光的照射后，薄膜晶体管在关态下的漏电流增加，导致电子显示产品产生残像、串扰等不良。

发明内容

本公开至少一个实施例提供一种薄膜晶体管，包括衬底以及位于所述衬底上的有源层、源电极、漏电极、栅电极和遮光部，源电极和漏电极分别与所述有源层电连接，栅电极和遮光部位于所述有源层的远离所述衬底的一侧，在所述源电极至所述漏电极的方向上，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述遮光部位于所述栅电极和所述源电极之间和/或所述漏电极之间。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，所述遮光部为绝缘层。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，所述遮光部由与所述栅电极同材料的膜层进行局部氧化获得。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，在垂直于所述衬底所在面的方向上，所述遮光部的厚度小于所述栅电极的厚度。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，在平行于所述衬底所在面且沿着所述源电极至所述漏电极的方向上，所述遮光部的宽度为所述栅电极的宽度的1/4～1/2。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，所述栅电极包括金属材料，所述遮光部包括所述金属材料对应的氧化物。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，所述栅电极包括铜或铜合金、银或银合金，所述氧化物包括氧化铜、氧化银。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，所述有源层包括沟道区和位于所述沟道区两端的导体化区，所述源电极和所述漏电极与所述导体化区电连接，并且所述栅电极和所述遮光部在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重合。

例如，本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管还包括位于所述有源层和所述衬底之间的遮光层，所述有源层的沟道区在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影重叠。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管还包括位于所述有源层和所述栅电极之间的栅绝缘层，所述栅电极和所述遮光部在所述衬底上的正投影与所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影重合。

本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，包括上述任一实施例中的薄膜晶体管。

本公开至少一个实施例提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括：提供衬底并在所述衬底上形成有源层；在所述有源层的远离所述衬底的一侧形成栅电极和遮光部；以及形成分别与所述有源层电连接的源电极和漏电极；其中，在所述源电极至所述漏电极的方向上，所述栅电极形成在所述源电极和所述漏电极之间，所述遮光部形成在所述栅电极和所述源电极之间和/或所述漏电极之间。

例如，在本公开至少一个实施例提供的制造方法中，所述遮光部的材料为绝缘材料。

例如，在本公开至少一个实施例提供的制造方法中，所述栅电极和所述遮光部由同一膜层进行遮光性处理获得。