[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

漂移区，设置在所述衬底中；

栅极结构，设置在所述衬底上，包括栅极介电层和栅极介电层上的栅极层；

漏极区，设置在所述栅极结构的一侧的衬底中，与所述漂移区相接触；

源极区，设置在所述栅极结构的另一侧的衬底中；及

类栅结构，设置在所述漂移区上方、所述栅极结构与所述漏极区之间，所述类栅结构的材质与所述栅极层相同，所述类栅结构与所述栅极层之间绝缘。

2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括：

金属硅化物阻挡层，覆盖所述类栅结构、覆盖所述漂移区位于所述类栅结构和漏极区之间的表面；及

金属硅化物，形成于未被金属硅化物阻挡层覆盖的漏极区表面、栅极层表面及源极区表面。

3.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括：

绝缘层，设置在所述栅极层、金属硅化物阻挡层、漏极区及源极区上；

金属场板，设置在所述绝缘层上；及

第一接触孔，与所述金属场板接触以将所述金属场板引出。

4.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，

所述金属硅化物阻挡层包括氧化物层和氧化物层上的氧化物刻蚀阻挡层，所述横向扩散金属氧化物半导体器件还包括甲接触孔，所述甲接触孔的底部位于所述氧化物刻蚀阻挡层内。

5.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：

获取衬底，所述衬底中形成有漂移区；

在所述衬底上形成栅极介电层；

在所述栅极介电层上形成栅极材质；

使用第一光刻版光刻并对所述栅极材质进行刻蚀，形成栅极层和与所述栅极层分离的类栅结构，所述类栅结构设置在所述漂移区上方，所述第一光刻版包括栅极层图案和类栅结构图案；及

形成漏极区和源极区，所述漏极区形成于所述栅极层的一侧的衬底中，且与所述漂移区相接触，所述源极区形成于所述栅极层的另一侧的衬底中，所述类栅结构位于所述栅极层和漏极区之间。

6.根据权利要求5所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述形成漏极区和源极区的步骤之后，还包括以下步骤：

形成金属硅化物阻挡层，所述金属硅化物阻挡层覆盖所述类栅结构，还覆盖所述漂移区位于所述类栅结构和漏极区之间的表面；及

在未被金属硅化物阻挡层覆盖的漏极区表面、栅极层表面及源极区表面形成金属硅化物。

7.根据权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述栅极层、金属硅化物阻挡层、漏极区及源极区上形成绝缘层；及

在所述绝缘层上形成金属场板。

8.根据权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括形成与所述金属场板接触的第一接触孔，将所述金属场板引出的步骤。

9.根据权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层包括氧化物层和氧化物层上的氧化物刻蚀阻挡层，所述在未被金属硅化物阻挡层覆盖的漏极区表面、栅极层表面及源极区表面形成金属硅化物的步骤之后，还包括形成甲接触孔的步骤，所述甲接触孔的底部位于所述氧化物刻蚀阻挡层内。

10.根据权利要求5所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述栅极介电层上形成栅极材质的步骤，是淀积多晶硅。