[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括生长衬底、压电薄膜、顶电极和底电极；所述压电薄膜在生长衬底上外延生长出，所述压电薄膜的上表面制备得到顶电极，所述生长衬底上深刻蚀有下引孔，所述下引孔贯穿生长衬底和压电薄膜；所述生长衬底的背面刻蚀形成空腔，生长衬底的下表面制备得到底电极；所述压电薄膜的厚度为0.2-5μm；顶电极和底电极的厚度均为50-300nm；所述生长衬底选自硅、蓝宝石或LiGaO₂；所述顶电极和底电极均选自Al、Mo、W、Pt、Cu、Ag、Au和ZrN中的一种或任意组合；

所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，包括如下步骤：

薄膜结构层生长步骤：在生长衬底表面外延生长压电薄膜；

顶电极制作步骤：在压电薄膜的上表面采用溅射或电子束蒸发方法制备得到顶电极；

减薄步骤：对生长衬底进行减薄；

刻蚀步骤：通过涂胶显影曝光的方法对生长衬底图形化，并深刻蚀到压电薄膜，使用干法刻蚀设备刻蚀出空腔；

下引孔制作步骤：对生长衬底图形化并深刻蚀到顶电极形成下引孔，采用电镀的方法将顶电极通过下引孔引出到生长衬底下表面；

底电极制作步骤：在生长衬底的下表面图形化底电极形状，并用溅射或电子束蒸发制作得到底电极。

2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电薄膜为单晶氮化铝压电膜、高C轴取向的多晶氮化铝薄膜或ZnO薄膜。

3.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电薄膜的半峰宽小于等于0.3°，低表面粗糙度小于2nm。