[发明专利]一种具有双纵向场板的分离栅槽型功率器件

权利要求书

1.一种具有双纵向场板的分离栅槽型功率器件，其特征在于：其元胞结构包括第二掺杂类型衬底(1)、SiO₂埋氧层(21)、第一掺杂类型漂移区(31)、介质槽区(22)、第二掺杂类型条(43)、第二掺杂类型阱区(42)、第一掺杂类型源端重掺杂区(32)、第二掺杂类型源端重掺杂区(41)、第一掺杂类型漏端重掺杂区(33)、浅槽栅接触电极(51)、源极接触电极(52)、漏极接触电极(53)、栅极浮空场板(54)、源场板(55)、漏场板(56)，栅氧化槽(23)、栅源间覆盖介质层(24)、源漏间覆盖介质层(25)；所述第二掺杂类型衬底(1)上表面设置有SiO₂埋氧层(21)；所述SiO₂埋氧层(21)上端面设置有第一掺杂类型漂移区(31)；所述第一掺杂类型漂移区(31)中设置有介质槽区(22)、第二掺杂类型条(43)和栅氧化槽(23)；所述介质槽区(22)内部左侧置有源场板(55)，右侧置有漏场板(56)；所述源场板(55)左侧不与介质槽区(22)边缘邻接，漏场板(56)右侧不与介质槽区(22)边缘邻接；所述漏场板(56)右部设置有第二掺杂类型条(43)；所述第二掺杂类型条(43)左边缘与介质槽区(22)边缘接触且平齐；所述第二掺杂类型条(43)上方与第一掺杂类型漏端重掺杂区(33)相连；所述第一掺杂类型漏端重掺杂区(33)上端面邻接漏极接触电极(53)；所述漏极接触电极(53)与源极接触电极(52)通过表面覆盖氧化层(25)相隔离，且所述表面覆盖氧化层(25)在介质槽区(22)上端面上方，所述源极接触电极(52)下端面置有第二掺杂类型阱区(42)，所述第二掺杂类型阱区(42)内部中包括相互独立的第一掺杂类型源端重掺杂区(32)和第二掺杂类型源端重掺杂区(41)；所述第二掺杂类型阱区(42)左侧设置有栅氧化槽(23)；所述栅氧化槽(23)内部设置有浅槽栅接触电极(51)和栅极浮空场板(54)。所述浅槽栅接触电极(51)与源极接触电极(52)通过表面覆盖氧化层(24)相隔离。

2.根据权利要求1所述的一种具有双纵向场板的分离栅槽型功率器件，其特征在于：所述器件是SOI器件，对于SOI器件来说衬底为第二类型硅。

3.根据权利要求1所述的一种具有双纵向场板的分离栅槽型功率器件，其特征在于：所述漏极接触电极(53)左侧下方邻接漏场板(56)，所述源极接触电极(52)右侧下方邻接源场板(55)。

4.根据权利要求1所述的一种具有双纵向场板的分离栅槽型功率器件，其特征在于：所述结构中的浅槽栅接触电极(51)、栅极浮空场板(54)和栅氧化槽(23)为分离栅结构。

5.根据权利要求1所述的一种具有双纵向场板的分离栅槽型功率器件，其特征在于：所述第二掺杂类型条(43)在第一掺杂类型漏端重掺杂区(33)下端相连。