[发明专利]一种高体积分数石墨烯增强碳化硅基复合材料及其制备方法在审
申请号: | 201810863875.2 | 申请日: | 2018-08-01 |
公开(公告)号: | CN109095926A | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 杨金山;黄凯;董绍明;丁玉生;王震 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/626;C04B35/78;B33Y10/00;B33Y70/00 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨烯 三维多孔 碳化硅基复合材料 高体积分数 制备 原位生长 碳化硅 优选 | ||
1.一种石墨烯增强碳化硅基复合材料,其特征在于,包括:三维多孔石墨烯、以及原位生长于三维多孔石墨烯中的碳化硅,所述三维多孔石墨烯的含量所述三维多孔石墨烯的含量≤50vol%,优选为10~50vol%。
2.根据权利要求1所述的石墨烯增强碳化硅基复合材料,其特征在于,所述石墨烯增强碳化硅基复合材料的压缩强度为50~500MPa,电导率>1000S/m;优选地,所述石墨烯增强碳化硅基复合材料的120~160MPa,电导率>2000S/m。
3.一种如权利要求1或2所述的石墨烯增强碳化硅基复合材料的制备方法,其特征在于,以甲基三氯硅烷、甲基二氯硅烷中的至少一种作为前驱体,以H2作为载气,利用化学气相渗透工艺对三维多孔石墨烯进行致密化处理,得到所述石墨烯增强碳化硅基复合材料。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述化学气相渗透工艺的参数包括:反应温度900~1100℃;反应时间100~200小时;压力1~10kPa;载气流量100~400mL/分钟。
5.根据权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于,利用3D打印工艺制备三维多孔石墨烯,包括:将石墨烯、分散剂分散于乙醇,得到混合溶液;
在混合溶液中加入粘结剂,在70~90℃下水浴加热1~2小时,得到打印浆料;
利用3D打印工艺,逐层叠加打印,得到所述三维多孔石墨烯。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述分散剂为邻苯二甲酸二丁酯、聚乙烯吡咯烷酮、乙二醇丁醚、聚乙二醇中的至少一种,所述分散剂与石墨烯的质量比为1:2~1:8。
7.根据权利要求5或6所述的制备方法,其特征在于,所述粘结剂为邻苯二甲酸二丁酯、聚乙烯醇缩丁醛、乙基纤维素、甲基纤维素中的至少一种,所述粘结剂和石墨烯的质量比为1:(3~10)。
8.根据权利要求5-7中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述3D打印工艺的参数包括:气压为0~1 MPa,移动速度为1~20 mm/s,喷嘴直径为0.1~1 mm,间距为0.1~1 mm,层厚为0.1~1 mm;优选地,逐层叠加打印过程中,相邻上下两层之间的夹角为10°~90°,更优选为30°~90°。
9.根据权利要求5-8中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述石墨烯和乙醇质量比为1:(80~200)。
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