[发明专利]3D NAND闪存的读取方法有效
| 申请号： | 201810864131.2 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109065091B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;靳磊;黄莹;魏文喆;王启光 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/08 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nand 闪存 读取 方法 | ||
1.一种3D NAND闪存的读取方法，所述3D NAND闪存包括在三维空间内阵列排布的多个存储单元，构成多个存储串，每一个存储串的顶部的晶体管为上选择管，所述上选择管连接至位线，存储串底部的晶体管为下选择管，位于同一层内的多个存储单元组成存储行，位于同一存储行内的存储单元的栅极均连接至同一字线，待读取存储单元所在的存储串作为选中串，其特征在于，所述读取方法包括依次进行的预导通阶段和读取阶段步骤，其中，在所述预导通阶段中对选中串及非选中串的位线施加持续的预充电压；同时，导通选中串的上选择管和非选中串的上选择管，关断选中串的下选择管和非选中串的下选择管。
2.根据权利要求1所述的3D NAND闪存的读取方法，其特征在于，读取阶段中，对位线施加驱动电压；所述预充电压大于所述驱动电压。
3.根据权利要求1所述的3D NAND闪存的读取方法，其特征在于，在所述预导通阶段中还包括：在预导通阶段结束之前，关断所述非选中串的上选择管；对位线施加预充电压直至预导通阶段结束。
4.根据权利要求1所述的3D NAND闪存的读取方法，其特征在于，在所述预导通阶段中还包括：在对位线施加预充电压的同时，对选中字线和非选中字线施加预导通电压。
5.根据权利要求1所述的3D NAND闪存的读取方法，其特征在于，还包括位于所述读取阶段之后的预关断阶段；所述预关断阶段中，位线保持低电位。
6.根据权利要求5所述的3D NAND闪存的读取方法，其特征在于，所述预关断阶段中，导通选中串的上选择管、非选中串的上选择管、选择串的下选择管和非选中串的下选择管，以及对非选中字线和选中字线均施加导通电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810864131.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
