[发明专利]屏幕发声装置、发声显示屏及其制造方法和屏幕发声系统

权利要求书

1.一种超声波发生器，其特征在于，包括：从下向上依次设置的基底、下电极、超声波发生单元和上电极，其中，

所述超声波发生单元包括振动腔室和设置于所述振动腔室之上的超声波发生层，其中，所述振动腔室是由刻蚀牺牲层形成的空腔，所述超声波发生层为在工作电压作用下推动周围介质振动产生超声波的薄膜层；

所述上电极和下电极用于为所述超声波发生单元提供所述工作电压。

2.根据权利要求1所述的超声波发生器，其特征在于，

所述超声波发生单元为电容式超声波发生单元，所述牺牲层为所述下电极层上沉积的二氧化硅层，所述振动腔室由所述二氧化硅层刻蚀形成的凹槽实现；所述超声波发生层包括自下向上依次沉积在所述二氧化硅层之上的氮化硅层和多孔硅层；或者

所述超声波发生单元为压电式超声波发生单元；所述牺牲层为所述下电极层上沉积的二氧化硅层，所述振动腔室由所述二氧化硅层刻蚀形成的凹槽实现；所述超声波发生层包括自下向上依次沉积在所述二氧化硅层之上的氮化硅层、多孔硅层和压电薄膜。

3.一种屏幕发声装置，其特征在于，包括从下向上依次设置的基板、下电极层、超声波发生单元阵列和上电极层，其中：

所述超声波发生单元阵列包括多个按照预设超声图案排布的超声波发生单元，所述超声波发生单元用于在工作电压的控制下发出具有与所述工作电压对应的频率的超声波；

所述上电极层和下电极层用于为所述超声波发生单元阵列中的各个超声波发生单元提供所述工作电压。

4.根据权利要求3所述的屏幕发声装置，其特征在于，所述超声波发生单元包括振动腔室和设置于所述振动腔室之上的超声波发生层，其中，

所述振动腔室为由牺牲层刻蚀形成的空腔结构；

所述超声波发生层为在工作电压作用下推动周围介质振动产生超声波的薄膜层。

5.根据权利要求4所述的屏幕发声装置，其特征在于，

所述牺牲层位于所述基板上方，且与所述基板一体成型，材质相同，所述振动腔室由所述牺牲层刻蚀形成的凹槽实现；

所述下电极层为根据预定义的下电极图案设置的导电膜层，且粘附在所述凹槽底部。

6.根据权利要求4所述的屏幕发声装置，其特征在于，

所述牺牲层和所述下电极层为在所述基板上沉积的金属层，

所述振动腔室由所述金属层刻蚀形成的凹槽实现；

刻蚀后的所述金属层还用于实现所述下电极层。

7.根据权利要求4所述的屏幕发声装置，其特征在于，

所述超声波发生单元为电容式超声波发生单元；

所述牺牲层为所述下电极层上沉积的二氧化硅层，所述振动腔室由所述二氧化硅层刻蚀形成的凹槽实现；

所述超声波发生层包括自下向上依次沉积在所述二氧化硅层之上的氮化硅层和多孔硅层。

8.根据权利要求4所述的屏幕发声装置，其特征在于，

所述超声波发生单元为压电式超声波发生单元；

所述牺牲层为所述下电极层上沉积的二氧化硅层，所述振动腔室由所述二氧化硅层刻蚀形成的凹槽实现；

所述超声波发生层包括自下向上依次沉积在所述二氧化硅层之上的氮化硅层、多孔硅层和压电薄膜。

9.一种屏幕发声装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板和制作牺牲层；

按照预设超声图案，对所述牺牲层进行刻蚀，形成多个空腔，作为超声波发生单元的振动腔室；

在所述振动腔室的底部设置用于为所述超声波发生单元提供工作电压的下电极层；

在所述振动腔室的上方，设置超声波发生层，所述超声波发生层为在工作电压作用下推动周围介质振动产生超声波的薄膜层；以及，

在所述超声波发生层的上方设置用于为所述超声波发生单元提供工作电压的上电极层。