[发明专利]一种抑制地电位升的引流接地方法

说明书

本发明公开了一种抑制地电位升的引流接地方法，包括接地引下线、接地极，接地极设置在原土导流区中，并连接接地引下线；还包括第一接地构件和第二接地构件，二者设置在原土导流区中，且第一接地构件的电阻率小于原土导流区的电阻率，第二接地构件的电阻率小于第一接地构件的电阻率；第一接地构件位于接地极外部，并与接地极接触良好，第二接地构件位于第一接地构件之下，并与接地极下部、第一接地构件接触良好。本发明能有效抑制在雷电冲击下因接地装置的端部效应引起的瞬态地反击电压，解决现有接地技术中在雷电冲击下，由于接地装置的端部效应，造成高压输变电系统瞬态电位的急剧升高，雷电流无法安全有效泄放，形成地电位反击电压，对供电系统的安全运行造成严重影响的问题。

技术领域

本发明涉及一种防雷接地技术，特别是涉及一种能抑制地电位升高的抑制地电位升的引流接地方法。

背景技术

目前，接地技术存在的难点问题有：在冲击电涌的条件下，接地体因端部效应和感性分量会引起地电位升高，危害人员和设备运行安全。接地体端部效应的成因是：根据电磁感应原理，电涌在散流土壤中产生时变磁场，导致电流密度沿接地体方向不均匀分布，呈现出接地体中部附近土壤中电流密度较小，接地体最末端因电荷累积致电流密度增加，形成端部效应。接地体的端部效应表现为：冲击电流不是沿接地体均匀地向大地流动，而是在端部形成电荷累积产生地电位升高；当雷电流到达时，由端部效应引起地电位升的特性，主要表现在注入点有限范围内。特别是在土壤电阻率较高(如ρ大于1000Ωm)地区，因接地体载流子对大地释放能力差，导致接地体的端部效应更为明显，所产生的地电位反击的危害更大。对于上述技术问题，现有技术的接地装置还普遍难以克服。

发明内容

本发明提供了一种抑制地电位升的引流接地方法，其能有效抑制地电位升高，解决背景技术中所述的现有接地技术中在雷电冲击下，由于接地装置的端部效应，造成高压输变电系统瞬态电位的急剧升高，雷电流无法安全有效泄放，形成地电位反击电压，对供电系统的安全运行造成严重影响的问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种抑制地电位升的引流接地方法，包括以下步骤：

1)将接地极连接接地引下线，将接地极置入电阻率小于原土导流区电阻率的第一接地构件中，并使接地极与第一接地构件相接触；

2)将第一接地构件和电阻率小于该第一接地构件电阻率的第二接地构件埋入原土导流区中，并使第二接地构件位于第一接地构件之下，且第二接地构件与接地极下部、第一接地构件接触。

进一步的，所述第一接地构件与原土导流区构成电涌分流通道，所述第一接地构件与第二接地构件构成电涌扩散通道，所述第一接地构件、第二接地构件与原土导流区构成电涌释放通道。

进一步的，所述第一接地构件底面与第二接地构件顶面触靠在一起。

进一步的，所述第二接地构件的电阻率小于导体的电阻率。

进一步的，所述第一接地构件、第二接地构件均为半导体。

进一步的，所述第一接地构件和/或第二接地构件呈蜂窝型。

相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：

1、能够利用第一接地构件对第二接地构件的扩散电流作用，有效降低接地极的端部电荷密度，地电位升高可抑制在安全范围；能够利用第一接地构件对第二接地构件、第一接地构件对原土导流区、第二接地构件对原土导流区的电离放电电压较低，在电场的作用下出现的电离非线性导通状态，散流能力增强，地电位升及接地阻抗大幅降低。

2、所述第一接地构件、第二接地构件优选采用半导体，具有可控性强、抑制地电位升高的效果显著等特点。

3、所述第一接地构件、第二接地构件优选设为蜂窝型，能够有效增大第一接地构件、第二接地构件的内部空间面积，从而使第一接地构件、第二接地构件能够储存更多的电荷。