[发明专利]一种太阳能组件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201810867438.8 申请日: 2018-08-02
公开(公告)号: CN110808305A 公开(公告)日: 2020-02-18
发明(设计)人: 陈东春;张欣;柳大为;李超 申请(专利权)人: 北京汉能光伏投资有限公司
主分类号: H01L31/048 分类号: H01L31/048
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 覃婧婵
地址: 101499 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能 组件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能组件,其特征在于,包括依次设置并层压为一体的第一基板、第一胶片层、电池芯片、第二胶片层和第二基板,其中,所述第一胶片层和所述第二胶片层至少一者为SGP胶片层。

2.根据权利要求1所述的太阳能组件,其特征在于,还包括在所述第二基板背侧依次设置的间隔框和第三基板,所述第三基板与所述第二基板通过间隔框间隔以形成空腔结构。

3.根据权利要求1所述的太阳能组件,其特征在于,

所述SGP胶片层的厚度小于3mm;或者

所述SGP胶片层的厚度小于2.5mm;或者

所述SGP胶片层的厚度小于1mm。

4.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能组件,其特征在于,所述第一基板为玻璃前板或高分子前板。

5.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能组件,其特征在于,所述第一基板为前板;所述第一基板包括丝印玻璃基板、仿石玻璃基板或镀膜仿石玻璃基板,其中:

所述丝印玻璃基板具有丝印区域,所述丝印区域设置在所述第一基板的面对所述电池芯片的一侧表面周边;

所述镀膜仿石玻璃基板具有镀膜层,所述镀膜层设置在所述第一基板的远离所述电池芯片的一侧表面。

6.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能组件,其特征在于,所述第二基板选自超白钢化玻璃板、普通钢化玻璃板、浮法玻璃板或彩釉钢化玻璃板中的任意一种。

7.根据权利要求1~3任一项所述的太阳能组件,其特征在于,所述第一胶片层为SGP胶片层,所述第二胶片层为EVA胶片层或PVB胶片层。

8.一种制造如权利要求1~7中任一项所述的太阳能组件的方法,其特征在于,所述方法包括:

将第一基板、第一胶片层、电池芯片、第二胶片层和第二基板依堆叠以形成堆叠体,其中,所述第一胶片层和所述第二胶片层至少一者为SGP胶片层;

将所述堆叠体送入层压机中实施层压工艺,使第一基板、第一胶片层、电池芯片、第二胶片层和第二基板层压为一体。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述层压工艺包括:

第一层压阶段:对所述堆叠体实施预热,以及对所述堆叠体的上方和下方进行预抽真空,使得堆叠体的上方和下方具有相同的真空度,并在此条件下保持第一时长;

第二层压阶段:调整堆叠体上方的真空度,使得堆叠体上方的真空度低于堆叠体下方的真空度,并在此条件下保持第二时长;

第三层压阶段:将经历上述第二层压阶段的堆叠体送入高压釜中,对堆叠体施加高温和高压,并维持第三时长。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述第一层压阶段、第二层压阶段以及第三层压阶段中的至少一者满足以下工艺条件:

在第一层压阶段中,所述预抽真空的真空度为表压-70kpa至-100kpa,所述预热的温度为130℃至150℃;所述第一时长为1200秒至2400秒;

在第二层压阶段中,调整后的堆叠体的上方的真空度为表压-60kpa至-10kpa,而所述堆叠体的下方的真空度保持与第一阶段中的真空度相同;所述第二时长为1500秒至2500秒;

在第三层压阶段中,高压釜中的所述高压为1.1至2.0Mpa,所施加的高温为125℃至140℃;所述第三时长为30分钟至90分钟。

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