[发明专利]一种荧光和磁共振双模成像碳纳米点及其制备方法

权利要求书

1.一种荧光和磁共振双模成像碳纳米点，其特征在于，主要由碳元素、氮元素、氧元素和钆元素构成，其中钆元素的总含量占22.70％；通过采用两步修饰碳纳米点策略，将Gd-DTPA与碳纳米点共价连接，赋予该碳纳米点荧光和磁共振两种成像性质，制成所述荧光和磁共振双模成像碳纳米点。

2.权利要求1所述的荧光和磁共振双模成像的碳纳米点的制备方法，其包括步骤：

(1)将DTPA溶于乙酸酐和吡啶，恒温回流搅拌24小时后冷却至室温，抽滤，先后用乙醚和乙酸酐交替洗，再次抽滤后放置在恒温真空干燥箱中若干小时，即得cDTPAa；

(2)在小型反应釜中加入NMP，于烘箱中恒温反应12小时，收集反应液，透析，干燥，即得荧光成像的碳纳米点；

(3)将荧光成像的碳纳米点溶于PBS pH＝7.4，缓慢加入cDTPAa和EDC，室温搅拌若干小时，加入GdCl₃，室温搅拌若干小时，透析，冻干，即得荧光和磁共振双模成像的碳纳米点。

3.根据权利要求2所述的荧光和磁共振双模成像的碳纳米点的制备方法，其特征在于，制备cDTPAa过程中，所述回流搅拌温度为60～70℃。

4.根据权利要求2所述的荧光和磁共振双模成像的碳纳米点的制备方法，其特征在于，制备cDTPAa过程中，所述恒温真空干燥箱使用温度为70～90℃。

5.根据权利要求2所述的荧光和磁共振双模成像的碳纳米点的制备方法，其特征在于，制备cDTPAa过程中，所述恒温真空干燥箱使用时间为6～18h。

6.根据权利要求2所述的荧光和磁共振双模成像的碳纳米点的制备方法，其特征在于制备荧光成像碳纳米点过程中，所述烘箱中反应温度为180～220℃。

7.根据权利要求2所述的荧光和磁共振双模成像的碳纳米点的制备方法，其特征在于，制备荧光成像碳纳米点过程中，所述干燥方式为冻干或烘干。

8.根据权利要求2所述的荧光和磁共振双模成像的碳纳米点的制备方法，其特征在于，制备荧光成像碳纳米点过程中，所述烘干干燥温度为80～90℃。

9.根据权利要求2所述的荧光和磁共振双模成像的碳纳米点的制备方法，其特征在于制备荧光成像碳纳米点过程中，所述烘干干燥时间为12～24h。

10.根据权利要求2所述的荧光和磁共振双模成像的碳纳米点的制备方法，其特征在于制备荧光和磁共振双模成像的碳纳米点过程中，所述荧光成像的碳纳米点、cDTPAa、EDC和GdCl₃的投料摩尔比为：1∶0.017∶0.017～0.026∶0.017～0.085。

11.根据权利要求2所述的荧光和磁共振双模成像的碳纳米点的制备方法，其特征在于制备荧光和磁共振双模成像的碳纳米点过程中，所述加入eDTPAa和EDC后的室温搅拌时间为1～5h。

12.根据权利要求2所述的荧光和磁共振双模成像的碳纳米点的制备方法，其特征在于制备荧光和磁共振双模成像的碳纳米点过程中，所述加入GdCl₃后的室温搅拌时间为3～12h。