[发明专利]多气隙阻性井型探测器、放大单元、基材及制备方法

权利要求书

1.一种多气隙阻性井型探测器放大单元，其由下至上依次包括：

底部DLC层；

底部Apical层，所述底部DLC层镀在其下表面；

Prepreg层，粘接在所述底部Apical层上；

中部DLC层，粘接在所述Prepreg层上；

顶部Apical层，所述中部DLC层镀在其下表面；以及

顶部DLC层，镀接在所述顶部Apical层上；

其中，该放大单元的上表面上形成有多个起始于所述顶部DLC层的上表面，终止于所述中部DLC层的上表面的井型孔。

2.根据权利要求1所述的多气隙阻性井型探测器放大单元，其中：

所述底部Apical层和所述顶部Apical层的厚度均介于45μm至55μm之间；

所述底部DLC层、所述中部DLC层和所述顶部DLC层的厚度均介于90nm至110nm之间。

3.一种多气隙阻性井型探测器放大单元的基材，用于制备如权利要求1或权利要求2所述的多气隙阻性井型探测器放大单元，其由下至上依次包括：

第一基材，其由下至上依次包括：

铜层；

DLC层，所述铜层镀接于其下表面；以及

Apical层，所述DLC层镀接于其下表面；以及

第二基材，其由下至上依次包括：

底部铜层，其上用于设置接地或者接高压的线路和连接点；

底部DLC层，所述底部铜层镀接在其下表面，在对底部铜层进行刻蚀处理后，将裸露出来的底部DLC层以及剩余的底部铜层通过Prepreg层粘接在所述第一基材的所述Apical层的上表面上；

Apical层，所述底部DLC层镀接在其下表面；

顶部DLC层，镀接在所述Apical层上；以及

顶部铜层，镀接于所述顶部DLC层上。

4.根据权利要求3所述的多气隙阻性井型探测器放大单元的基材，其中：

所述第一基材和所述第二基材中的所述Apical层的厚度均介于45μm至55μm之间；

所述第一基材的所述DLC层以及所述第二基材中的所述底部DLC层和所述顶部DLC层的厚度均介于90nm至110nm之间；

所述第一基材的所述铜层以及所述第二基材的所述顶部铜层的厚度均介于4μm至4.5μm之间。

5.一种多气隙阻性井型探测器放大单元的基材的制备方法，用于制作如权利要求3或权利要求4所述的多气隙阻性井型探测器放大单元的基材，包括：

步骤1、将所述第二基材的所述底部铜层进行刻蚀，制作出用于接地或者接高压的线路和连接点；

步骤2、将Prepreg层粘接到所述第二基材露出的底部DLC层上；

步骤3、将所述第一基材的所述Apical层粘接到与所述第二基材相连的所述Prepreg层上。

6.根据权利要求5所述的多气隙阻性井型探测器放大单元的基材的制备方法，所述步骤2和所述步骤3中，粘接过程中对所述Prepreg层施加10kg/cm²至20kg/cm²的压强。

7.一种多气隙阻性井型探测器放大单元的制备方法，包括：

步骤A：在如权利要求3或权利要求4所述的多气隙阻性井型探测器放大单元的基材的所述顶部铜层上进行刻蚀，形成小孔阵列；

步骤B：对步骤A得到的基材的顶部铜层进行喷砂处理；

步骤C：将步骤B得到的基材放入Apical刻蚀液中进行刻蚀，形成井型孔；

步骤D：使用高压气枪对步骤C得到的基材刻蚀出孔的一面进行吹扫，移除所述井型孔上方残留的所述顶部DLC层；

步骤E：将步骤D得到的基材放入铜刻蚀液中进行刻蚀，移除上下表面的铜，得到如权利要求1或权利要求2所述的多气隙阻性井型探测器放大单元。

8.根据权利要求7所述的多气隙阻性井型探测器放大单元的制备方法，所述步骤D中，首先将所述步骤C得到的基材进行清洁并烘干，然后使用高压气枪进行吹扫。