[发明专利]向钨膜上形成氧化硅膜的方法、装置以及存储介质

权利要求书

1.一种向钨膜上形成氧化硅膜的方法，该方法包括：

第一工序，设为将具有表面形成了自然氧化膜的钨膜的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；

第二工序，使含硅气体吸附于所述钨膜来形成硅晶种层；

第三工序，然后，对所述被处理体进行退火，通过所述自然氧化膜与所述硅晶种层的反应来形成氧化硅膜；以及

第四工序，然后，通过使用含硅气体与氧活性种的原子层沉积即ALD来形成ALD氧化硅膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二工序中使用的所述含硅气体包含氨基硅烷气体、或者二硅烷气体。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述第二工序中使用的所述含硅气体包含三(二甲基氨基)硅烷或者二异丙基氨基硅烷。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的方法，其特征在于，

所述第三工序在非活性气体气氛下以600℃～700℃范围的温度进行。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述第四工序中，作为所述含硅气体使用含氯的硅烷系气体以及氨基硅烷系气体中的任一者，作为氧活性种使用氧自由基或者臭氧气体。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第四工序具有：

第一步骤，通过25℃～350℃的低温成膜来形成第一ALD氧化硅膜；以及

第二步骤，通过500℃～750℃的中高温成膜来形成第二ALD氧化硅膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

在所述第四工序中，以25℃～35℃范围的温度，作为所述含硅气体使用氨基硅烷系气体，作为所述氧活性种使用由氧等离子体生成的氧自由基，来进行所述第一步骤，以700℃～750℃范围的温度，作为所述含硅气体使用含氯硅烷系气体，作为所述氧活性种使用利用了氧气和氢气进行的低压自由基氧化中的自由基，来进行所述第二步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

使用二异丙基氨基硅烷气体作为氨基硅烷系气体，来进行所述第一步骤；使用六氯乙硅烷气体作为含氯硅烷系气体，来进行所述第二步骤。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

在所述第四工序中，以300℃～350℃范围的温度，作为所述含硅气体使用氨基硅烷系气体，作为所述氧活性种使用臭氧气体，来进行所述第一步骤，以500℃～550℃范围的温度，作为所述含硅气体使用氨基硅烷系气体，作为所述氧活性种使用臭氧气体，来进行所述第二步骤。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

使用二异丙基氨基硅烷气体作为氨基硅烷系气体，来进行所述第一步骤；使用三(二甲基氨基)硅烷气体作为氨基硅烷系气体，来进行所述第二步骤。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述被处理体是形成3D-NAND型非易失性半导体装置的半导体晶圆。