[发明专利]一种双耦合双混频中频信号功率反馈电路有效
申请号: | 201810869667.3 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN109245728B | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 杨青慧;郑仁平;王家敏;张怀武;王明 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03D7/16 | 分类号: | H03D7/16 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 邹裕蓉 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耦合 混频 中频 信号 功率 反馈 电路 | ||
1.一种双耦合双混频中频信号功率反馈电路,其特征在于,包括第一耦合器、第二耦合器、第一混频器、第二混频器、第一幅度控制单元、第二幅度控制单元、压控温补晶振、数字步进衰减器、低通滤波器;
第一耦合器的耦合端连接第一幅度控制单元的输入端,第一幅度控制单元的输出端连接第一混频器的本振端口,压控温补晶振连接第一混频器的中频端口,第一混频器的射频端口连接第二幅度控制单元的输入端,第二幅度控制单元的输出端连接第二混频器的本振端口;
第一耦合器的直通端连接数字步进衰减器的输入端,数字步进衰减器的输出端连接第二耦合器的输入端,第二耦合器的耦合端连接第二混频器的射频端口,第二混频器的中频端口连接低通滤波器的输入端口。
2.根据权利要求1所述的双耦合双混频中频信号功率反馈电路,其特征在于,射频信号由第一耦合器的输入端口输入,第一耦合器的耦合端口输出射频输入耦合信号;射频输入耦合信号流经第一幅度控制单元进行调控后输入至第一混频器的本振端口,压控温补晶振产生的晶振信号输入至第一混频器的中频端口;第一混频器对其本振端口和中频端口的信号进行上变频并从射频端口输出;第二幅度控制单元对第一混频器的射频端口输出信号进行调控后输入至第二混频器的本振端口;
数字步进衰减器对第一耦合器的直通端口信号进行功率衰减调控;衰减调控后的信号输入至第二耦合器的输入端口,一部分射频信号从第二耦合器的直通端口直接输出,另一部分从第二耦合器的耦合端口耦合输出,得到射频输出耦合信号;射频输出耦合信号输入至第二混频器的射频端口,第二混频器对其本振端口和射频端口的信号进行下变频并从中频端口输出;低通滤波器对第二混频器的中频端口输出信号进行滤波得到最终的中频信号。
3.根据权利要求1所述的双耦合双混频中频信号功率反馈电路,其特征在于,所述第一幅度控制单元为第一增益模块;所述第二幅度控制单元包括级联的第二增益模块和电阻型衰减网络。
4.根据权利要求3所述的双耦合双混频中频信号功率反馈电路,其特征在于,所述电阻型衰减网络由三个贴片电阻以π型连接。
5.根据权利要求3所述的双耦合双混频中频信号功率反馈电路,其特征在于,所述第一增益模块和第二增益模块选型相同。
6.根据权利要求1所述的双耦合双混频中频信号功率反馈电路,其特征在于,所述数字步进衰减器可控衰减量为31.5dB,步进为0.5dB。
7.根据权利要求1所述的双耦合双混频中频信号功率反馈电路,其特征在于,所述低通滤波器为贴片式滤波器,对于54MHz中频信号的插入损耗在0.33dB附近,对于2~4GHz射频信号的带外抑制大于42dBc。
8.根据权利要求1所述的双耦合双混频中频信号功率反馈电路,其特征在于,射频信号的频率为2GHz~4GHz,中频信号的频率为54MHz。
9.根据权利要求1所述的双耦合双混频中频信号功率反馈电路,其特征在于,所述第一耦合器和第二耦合器选型相同。
10.根据权利要求1所述的双耦合双混频中频信号功率反馈电路,其特征在于,所述第一混频器和第二混频器选型相同。
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